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- 寄生パラメータ Ciss、Coss、Crss、Rg
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パワーMOSFET、SiC、GaNなどの半導体デバイスにおいて、Ciss、Coss、Crss、Rgは寄生パラメータと呼ばれ…
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- GaN/SiCデバイスのC–V測定とは
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GaN/SiCデバイスのC–V測定とは ～次世代パワーデバイスの電気特性を非破壊で評価する基本手法～ ■ 定…
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- 半導体CV特性アナライザとは？
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半導体CV特性アナライザとは？ 〜容量-電圧特性の測定でデバイス構造を可視化〜 CV特性とは何か？ CV特…
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- 電子部品技術ロードマップ
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第11版 電子部品技術ロードマップは、電子情報技術産業協会（JEITA）の電子部品部会／部品技術ロードマ…
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- Chip to Chip, Chip to Wafer などの三次元微細結合技術
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「Chip to Chip（チップ・トゥ・チップ、C2C）」や「Chip to Wafer（チップ・トゥ・ウェーハ、C2W）」な…
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- Cu-Cu チップ・トゥ・ウェハ（CtW）ハイブリッドボンディング
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Cu-Cu（銅-銅）チップ・トゥ・ウェーハ（CtW）ハイブリッドボンディングは、次世代のヘテロジニアス・イ…
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- チップレット搭載FC-BGA基板
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チップレットを搭載したFC-BGA基板は、高性能コンピューティング（HPC）やAI処理チップを実現するための…
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- Digital Lithography Technology (DLT)とは
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Digital Lithography Technology (DLT)（デジタル・リソグラフィ技術）とは、主に半導体パッケージ基板…
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- インピーダンスアナライザとは？
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インピーダンスアナライザとは？ 電子部品や材料の特性評価に欠かせない測定器 インピーダンスアナラ…
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- 電力変換装置の高効率化および小型化
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電力変換装置（パワーエレクトロニクス）の高効率化と小型化は、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー…
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- 半導体デバイスの微細化と構造の複雑化
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半導体デバイスの微細化は、集積回路の性能向上と電力効率改善の原動力ですが、同時に構造の複雑化とい…
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- PAIーPositive Action Initiative
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「The POSITIVE ACTION Initiative」は、環境省が推進する**「デコ活」（脱炭素につながる新しい豊かな…
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- 帰還回路にチョークとバッファによるEMC対策法
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帰還回路にチョークとバッファを組み合わせてEMC対策を行う方法は、主に以下のような目的で行われます。…
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- デジタルICのトーテム・ポール出力段
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デジタルICのトーテム・ポール出力段におけるEMC（電磁両立性）対策について トーテム・ポール出力段は…
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- コンデンサの自己共振 自己共振周波数 (SRF)
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コンデンサの自己共振は、EMC（電磁両立性）対策において非常に重要な要素です。理想的なコンデンサは周…
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- 表面マイクロストリップラインの特性インピーダンスを計算する…
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表面マイクロストリップラインの特性インピーダンスを計算する方法は、いくつかのパラメータに基づいて…
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- コンデンサ COG や NPO の誘電体とは
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コンデンサの「COG」や「NPO」は、積層セラミックコンデンサ（MLCC）の誘電体の特性を表す規格です。こ…
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- RFバイパス（デカップリング）
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RFバイパス（デカップリング）は、RF回路や高速デジタル回路におけるEMC（電磁両立性）対策の重要な要素…