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- ゼロ電圧スイッチング(Zero-Voltage Switching, ZVS)整流回路
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ゼロ電圧スイッチング（ZVS）とは **ゼロ電圧スイッチング（ZVS）**は、スイッチング素子（MOSFETやIGB…
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- 車載信頼性規格（AEC-Q101）第5世代SiC
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トラクションインバータやOBCなどの基幹部品に第5世代SiC MOSFETを採用する上で、避けて通れないのが車…
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- SiCやGaNなど「スイッチング周波数の具体的な上限設定」
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SiC（シリコンカーバイド）やGaN（ガリウムナイトライド）といったワイドバンドギャップ（WBG）半導体の…
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- 18650リチウムイオン二次電池
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18650リチウムイオン二次電池ですね！まさにリチウムイオン電池界の「スタンダード」とも呼べる存在で、…
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- VNA 2port シリーズスルー（Series-Thru）法
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CNT薄膜トランジスタ（TFT）の特性評価において、2ポート・シリーズスルー（Series-Thru）法は、特にデ…
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- フィルムコンデンサ（DCリンク用）WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体である**GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）**を使用した電力変…
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- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
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DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調（二相変調）の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…
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- 高温逆バイアス試験 (HTRB) 第5世代SiC
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高温逆バイアス試験（HTRB: High Temperature Reverse Bias）は、第5世代SiC MOSFETの信頼性を評価する…
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- 部分放電（PD）インパルス巻き線試験機
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インパルス試験機（衝撃電圧・電流発生装置）は、雷や開閉サージといった**「異常電圧」に対する電気機…
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- RM-ZABの社会実装
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RM-ZAB（再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池）の社会実装は、2026年現在、基礎研究の段階を脱し、**…
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- 二次電池内部抵抗測定方法
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電池の内部抵抗を正確に測定するには、「テスターの抵抗測定モード」ではできません。電池の電圧、接触…
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- CNT ペロブスカイト
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カーボンナノチューブ（CNT）とペロブスカイト（特にペロブスカイト太陽電池：PSC）の組み合わせは、次…
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- セラミックコンデンサ（デカップリング用） WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体向けのデカップリング用セラミックコンデンサは、GaNやSiCの超高速ス…
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- LEDドライバICの寄生パラメータ
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LEDドライバを統合回路（IC）化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
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- 電源安定化のシリコンキャパシタ
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エレクトロニクスエンジニア、特にRFや高速デジタル回路（Thunderbolt 5やConnectX-7など）に携わる方に…
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- 磁性コンポジットリング
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「磁性コンポジットリング」は産業機器やモーター、センサーの分野で非常に重要な役割を果たすコンポー…
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- RM-ZAB 日本国内の研究機関の動向
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日本国内における再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池（RM-ZAB）の研究は、2026年現在、産官学が連携…
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- LCRメータで電池内部抵抗測定
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LCRメータを使用して電池の内部抵抗を測ることは技術的に可能ですが、絶対にやってはいけないことがあり…
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- 低ダイナミック抵抗と超低容量を両立したESD保護ダイオード
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低ダイナミック抵抗（Rdyn）と超低容量（Ct）の両立は、高速信号ライン（USB4, Thunderbolt 4, HDMI 2.1…
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