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- 負のインダクタンスでコンデンサーのESLを打ち消す
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積層セラミックコンデンサ(MLCC)の高性能化において、寄生インダクタンス(ESL)の相殺は、RFSoCなど…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスは、Si(シリコン)に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- PSFB 4つのスイッチング素子(MOSFETやIGBT)をブリッジ状に配置
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PSFB(位相シフトフルブリッジ)の核心は、まさにその**「4つのスイッチ」の配置と動かし方**にあります…
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- 磁気メモリやセンサーへの応用例 キラリティ(不斉)とCISS効果
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キラリティ(不斉)とCISS効果を磁気メモリやセンサーに応用する研究は、従来の重金属や強磁性体に依存…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ(WBG: Wide Band Gap)半導体デバイス技術は、従来のシリコン(Si)半導体の限界…
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- Warburgインピーダンス
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コール・コールプロット(ナイキスト線図)の右側に現れる、「45度の傾きを持つ直線」。それが**Warburg…
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- 第5世代SiC OBC Crss ローム
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ローム(ROHM)の第5世代SiC MOSFET(開発中・順次投入)は、車載充電器(OBC)の次世代スタンダードを…
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- 2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計
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DC/DCコンバーター(特に降圧/Buckコンバーター)の設計は、複雑に見えて実はたった2つの物理法則の式か…
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- DRT法(緩和時間分布法)
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DRT法(Distribution of Relaxation Times)は、全固体電池のインピーダンス解析において「重なった円弧…
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- 金属端子付きMLCC
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金属端子付きMLCC(積層セラミックコンデンサ)は、セラミック素体の両端に金属製のフレーム(リード端…

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