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- 全固体電池のインピーダンス解析
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全固体電池のインピーダンス解析（EIS: 電気化学インピーダンス分光法）は、電池を壊さずに内部で何が起…
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- 負のインダクタンスでコンデンサーのESLを打ち消す
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積層セラミックコンデンサ（MLCC）の高性能化において、寄生インダクタンス（ESL）の相殺は、RFSoCなど…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- PSFB 4つのスイッチング素子（MOSFETやIGBT）をブリッジ状に配置
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PSFB（位相シフトフルブリッジ）の核心は、まさにその**「4つのスイッチ」の配置と動かし方**にあります…
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- 磁気メモリやセンサーへの応用例 キラリティ（不斉）とCISS効果
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キラリティ（不斉）とCISS効果を磁気メモリやセンサーに応用する研究は、従来の重金属や強磁性体に依存…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- Warburgインピーダンス
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コール・コールプロット（ナイキスト線図）の右側に現れる、「45度の傾きを持つ直線」。それが**Warburg…
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- 第5世代SiC OBC Crss ローム
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ローム（ROHM）の第5世代SiC MOSFET（開発中・順次投入）は、車載充電器（OBC）の次世代スタンダードを…
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- 2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計
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DC/DCコンバーター（特に降圧/Buckコンバーター）の設計は、複雑に見えて実はたった2つの物理法則の式か…
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- DRT法（緩和時間分布法）
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DRT法（Distribution of Relaxation Times）は、全固体電池のインピーダンス解析において「重なった円弧…
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- 金属端子付きMLCC
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金属端子付きMLCC（積層セラミックコンデンサ）は、セラミック素体の両端に金属製のフレーム（リード端…
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- 容量センサーの低域遮断周波数問題
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容量センサ（静電容量式センサ）を扱う上で、**低域遮断周波数（Low-cut frequency / High-pass charact…
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- CNT薄膜トランジスタ（TFT）のCV測定（容量-電圧測定）
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CNT薄膜トランジスタ（TFT）の**CV測定（容量-電圧測定）**は、チャネル形成のプロセス、界面準位、そし…
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- トラクションインバータ 第5世代SiC
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トラクションインバータ（走行用モータを駆動するメインインバータ）は、EVにおいてバッテリーの直流（D…
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- 損失を最小化する「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」
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損失を最小化するための**「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」**は、急速充電器のように入力電…
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- デバイ・リラクゼーションの連続体
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「デバイ・リラクゼーション（Debye Relaxation）の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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- スイッチドキャパシタ回路
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スイッチドキャパシタ回路（Switched Capacitor Circuit: SC回路）は、容量センサの低域遮断問題を解決…
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- VNA RF-CV法
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VNA（ベクトル・ネットワーク・アナライザ）を用いたRF-CV法は、通常のLCRメータ（数kHz〜MHz）では見る…
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