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- 電源のデカップリング
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デカップリング、電源インピーダンス、EMC対策は、電子回路の安定した動作とノイズ対策において密接に関…
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- XコンデンサとYコンデンサ
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XコンデンサとYコンデンサは、EMC（電磁両立性）対策において、電源ラインのノイズフィルタリングに不可…
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- MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価 における周波数設定
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MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価では、高周波数と低周波数の両方で測定を行うのが一般的です。…
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- インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは？
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インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは、測定したインピーダンス（交流における抵抗）の実…
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- GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧でも測定できる計測器はあ…
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はい、GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧で測定できる計測器は存在します。 「TECHMIZE社 TH51xシリ…
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- コンデンサの自己共振周波数 (SRF) 測定方法
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コンデンサの自己共振周波数（SRF: Self-Resonant Frequency）は、コンデンサがその容量だけでなく、寄…
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- 自動平衡ブリッジ LCRメータ インピーダンス・アナライザ
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自動平衡ブリッジ法は、LCRメーターなどに用いられるインピーダンス測定法で、オペアンプを利用して…
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- 四端子対構成をオペアンプを使って実現
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自動平衡ブリッジの四端子対構成をオペアンプを使って実現する場合、ウィーンブリッジやケルビンダブル…
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- 固体タンタル・コンデンサはdV/dt が高過ぎると短絡を起こす
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固体タンタルコンデンサは、dV/dt（時間あたりの電圧変化率）が急峻すぎると、短絡（ショート）を起こす…
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- セラミックコンデンサ（デカップリング用） WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体向けのデカップリング用セラミックコンデンサは、GaNやSiCの超高速ス…
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- 高性能電解コンデンサ WBG用
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高性能電解コンデンサは、WBG（ワイドバンドギャップ）半導体（GaNやSiC）を使用した回路において、特に…
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- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
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この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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- 高電圧に耐えるように設計された抵抗器
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高電圧抵抗器（高耐圧抵抗器）は、印加される電圧が高くても故障せず、安定した抵抗値を示すように特別…
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- 高電圧に耐えるように設計されたコイル
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高電圧に耐えるように設計されたコイルは、主に高電圧リアクトルや高電圧トランス（変圧器）として、高…
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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…