2026年現在の車載用SiC MOSFET市場では、**「信頼性のプレーナー型」から「高効率・小型化のトレンチ型」**への転換期にありますが、テスラとBYDではその戦略に興味深い違いがあります。


1. テスラ (Tesla) の動向:プレーナー型から進化

テスラは世界で初めてSiC MOSFETを量産車(Model 3)に採用した先駆者ですが、長らくプレーナー型を主軸としてきました。

  • 現在の主流: プレーナー型(STMicroelectronics製など)

    • Model 3やModel Yの初期〜現行モデル(Highland含む)の多くは、信頼性とコストのバランスに優れたプレーナー型を採用しています。

  • 最新の動き: 2026年投入予定の「Model Y Juniper」や次世代低価格モデルに向けて、**チップ個数の削減(SiC使用量75%削減計画)**を打ち出しています。

    • これを実現するために、単位面積あたりの性能が高いトレンチ構造への切り替え、あるいはプレーナー型を極限まで微細化した最新世代(オンセミのM3eなど)の採用が進んでいると見られています。


2. BYD の動向:垂直統合によるトレンチ型へのシフト

BYDは自社で半導体部門(BYD Semiconductor)を抱える垂直統合モデルの強みを活かし、早期から高性能な構造を導入しています。

  • 現在の主流: トレンチ型(自社開発および外部調達のハイブリッド)

    • 2024年〜2026年モデル(Sealion 7, Seal, Hanなど)のハイエンドグレードでは、800Vシステムに対応したトレンチ型SiC MOSFETが主流です。

  • 技術的特徴: 自社製のトレンチ構造により、オン抵抗を劇的に低減。これにより、高性能モーター(23,000rpmなど)や超急速充電(5分で400km走行分など)を実現するインバータを構成しています。


3. 車載向け構造のトレンド比較(2026年時点)

特徴 プレーナー型 (Planar) トレンチ型 (Trench)
主な採用メーカー テスラ(従来機)、オンセミ系 BYD、ローム系、独インフィニオン系
メリット ゲート酸化膜の信頼性が高く、製造が容易 抵抗が低く、チップサイズを小型化できる
デメリット チップ面積が大きくなり、高コスト化しやすい トレンチ底部への電界集中対策が必要
2026年の立ち位置 「熟成のスタンダード」 「次世代のハイパフォーマンス」

4. なぜ構造が分かれるのか?

車載用では「10年・15万km以上」という極めて高い信頼性が求められます。

  • テスラは当初、リスクの低いプレーナー型を「独自のパッケージング技術(銀焼結など)」で補って性能を出していました。

  • BYDや欧州勢は、チップそのものの性能(トレンチ化)で効率を稼ぐ方向にシフトしており、現在はこのトレンチ構造が「車載の標準」になりつつあります。

 

こちらの動画では、次世代のEV向け電力変換技術やSiCの最新トレンドについて詳しく解説されており、テスラやBYDなどの動向を理解するのに役立ちます。

最新のEVパワーエレクトロニクス動向2026

 

 

 

 

 

出典:Google Gemini

 

 

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