エレクトロメータでCV測定はできます。
ただし、LCRメーターのような交流信号でのC-Vメーターとは測定方法が異なります。一般的に、エレクトロメータは電流や電圧を高精度で測定する機器であるため、以下の2つの手法でC-V測定が可能です。
1. Quasi-Static C-V（準静的C-V）測定
この手法は、エレクトロメータの最も一般的なC-V測定方法です。
デバイスに非常にゆっくりとした電圧ステップを印加し、その際に流れる微小な電流をエレクトロメータで測定します。
この電流を時間で積分することで、電圧変化に対する電荷の変化量(ΔQ)を求め、そこから静電容量(C)を計算します。
この方法では、デバイスの応答が十分追従できるような低い周波数（通常1Hz以下）でのC-V特性を評価できます。
2. Low-Frequency C-V（低周波C-V）測定
この手法では、デバイスにDCバイアス電圧を印加しつつ、さらに微小なAC信号を重畳させます。
このときデバイスに流れるAC電流をエレクトロメータで測定し、AC電圧とAC電流の位相差からキャパシタンスを算出します。
この方法も、準静的C-Vと同様に低周波での測定に適しています。
どちらの手法でも、エレクトロメータの持つ高感度・高入力インピーダンスという特長が活かされ、特に微小な静電容量を持つデバイスや、リーク電流が大きいデバイスのC-V特性評価に非常に有効です。
LCRメータによるC-V測定は別項目で紹介します。
参考：
Quasi-Static C-V（準静的C-V）とは、半導体デバイスの界面準位密度を評価する方法の一つで、非常に低い周波数（準静的）の電源と高周波電源を用いて、C-V特性（容量-電圧特性）を測定し、界面準位密度を求める方法です。
詳細:
C-V特性とは:
半導体デバイスのゲート電極に電圧を印加したときの容量の変化を測定したものです。
界面準位とは:
半導体と絶縁膜の界面に存在する、電子やホールを捕獲・放出する欠陥のことです。
準静的測定:
非常に遅い電圧変化（低い周波数）で測定することで、界面準位の状態を考慮に入れたC-V特性を測定できます。
高周波測定:
高い周波数（例えば1MHz）で測定することで、界面準位の状態を考慮しないC-V特性を測定できます。
界面準位密度の算出:
準静的測定と高周波測定の結果を比較することで、界面準位密度を算出できます。
QSCV法の流れ:
1. 測定系の準備:
準静的C-V測定には、低周波電源（0.01Hz～10Hz程度）と高周波電源（1MHz程度）が必要です。
LCRメーターやC-V測定装置などを用いて、ゲート電極に電圧を印加し、容量を測定します。
2. 測定:
低周波電源でゲート電極に電圧をゆっくりと掃引し、その時の容量を測定します（準静的C-V特性）。
高周波電源でゲート電極に電圧を掃引し、その時の容量を測定します（高周波C-V特性）。
3. 解析:
準静的C-V特性と高周波C-V特性を比較し、界面準位密度を算出します。
QSCV法の応用:
MOSFETなどの半導体デバイスの信頼性評価、半導体-絶縁膜界面の特性評価、 材料開発。