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- 300GHz帯積層共振器アンテナ
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「300-GHz Band Laminated Resonator Antenna」は、300 GHz（ギガヘルツ）帯というテラヘルツ波に近い高…
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- 異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス
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「異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス」とは、従来の単一材料系で作製されていた光デバイ…
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- Cu-Cu チップ・トゥ・ウェハ（CtW）ハイブリッドボンディング
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Cu-Cu（銅-銅）チップ・トゥ・ウェーハ（CtW）ハイブリッドボンディングは、次世代のヘテロジニアス・イ…
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- シリコンフォトニクスとInP化合物半導体
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シリコンフォトニクスとInP（インジウムリン）化合物半導体は、**光電融合技術**において、それぞれが持…
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- Direct RF Sampling Transceiver
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Direct RF Sampling Transceiver（ダイレクトRFサンプリング・トランシーバー）とは、無線通信の送受信…
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- Class-Jアンプ とドハティアンプ
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Class-Jアンプとドハティ増幅器（Doherty Amplifier）は、現代の無線通信、特に5Gや次世代の6Gシステム…
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- 総務省、“偽基地局”による被害に注意喚起 “fake base sta…
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総務省は、不法無線局の疑いのある無線機器（いわゆる「偽基地局」）からの携帯電話サービスへの混信事…
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- 準天頂衛星システム「みちびき」
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準天頂衛星システム「みちびき」（QZSS: Quasi-Zenith Satellite System）は、「日本版GPS」とも呼ばれ…
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- IP over DWDM
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IP over DWDM は、インターネットプロトコル (IP) レイヤーと光伝送レイヤー（DWDM: 密着波長分割多重）…
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- パワーデバイスの発展を単純なシナリオで描くことは難しい
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パワーデバイスの発展を単純なシナリオで描くことは、極めて難しいです。その理由は、技術開発が従来の…
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- TSMCの2nmプロセス
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TSMCの2nmプロセス（N2）は、次世代の半導体製造技術であり、現在開発が進められています。 TSMC…
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- UCIe 規格 電圧伝達関数（VTF：Voltage Transfer Function）
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UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）規格では、チップレット間相互接続の信号品質（シグナ…
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- 南海トラフ地震に向けたBCP
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南海トラフ巨大地震は、広範囲に甚大な被害をもたらすことが想定されており、企業にとっては**事業継続…
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- クラッタ（Clutter）とは
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クラッタ（Clutter）とは、電子工学、特にレーダーや地中レーダ（GPR）などの分野で使われる用語で、ター…
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- Antenna-in-Package (AiP) Snapdragon
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Qualcomm（クアルコム）社の「Snapdragon（スナップドラゴン）」モデム-RFシステムは、5Gミリ波（mmWave…
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- エッチングプラズマにおけるイオン挙動
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エッチングプラズマにおけるイオン挙動は、半導体製造で最も重要な「異方性エッチング」（垂直方向に深…
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- 光MEMS (Optical MEMS) メーカー
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光MEMS (Optical MEMS) または MOEMS (Micro Opto Electro Mechanical Systems) デバイスのメーカーは多…