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- 日本で利用している光通信の具体的な技術やネットワーク戦略
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日本国内でハイパースケールデータセンター事業者(AWS、Azure、GCPなど)が利用している光通信の具体的…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
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IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート(GAA)構造」の次に控える2030年前後の…
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- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
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テスラの「SiC(炭化ケイ素)75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
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- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
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48Vシステム、特に自動運転(AD)や電子制御ブレーキ(brakes-by-wire)などの安全に関わるシステムでは…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会(…
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- Auracast™ の普及
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2026年は、Bluetoothの次世代音声規格「Auracast™(オーラキャスト)」が、一部の技術好きのツールから…
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- Under-display Face ID
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iPhone 18シリーズでうわさされる、「画面下埋め込み型Face ID(Under-display Face ID)」は、iPhoneの…
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- vdW積層材料 特定の物理現象
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vdW積層材料において、従来の材料では考えられないような**「特定の物理現象」**がいくつか発見されてい…
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- Q/Vバンドで使われる高効率な GaN(窒化ガリウム)増幅器 の特性
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Q/Vバンド(40/50GHz帯)の衛星通信において、**GaN(窒化ガリウム)を用いた高出力増幅器(SSPA/HPA)*…
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- SR-SAB 損失解析(コア損と銅損の配分)
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…
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- キャリアレスハイブリッドインバータ
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「キャリアレスハイブリッドインバータ」について、その仕組みとメリットを整理して解説します。 簡単…
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- 光・量子エレクトロニクス業績賞(宅間宏賞)
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「光・量子エレクトロニクス業績賞(宅間宏賞)」について解説します。 この賞は、日本のレーザー科学…
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- PSK Reporterの使い方
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WSJT-Xの設定が完了し、デコード(解読)ができるようになったら、次はPSK Reporterを活用しましょう。 …

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