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- 「UEC対応チップ」の性能
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2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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- DRAMとNANDフラッシュメモリの動向
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2026年現在、DRAMとNANDフラッシュメモリの市場は、AI（人工知能）向け需要の爆発的な増加と、それに伴…
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- 分子スピン 量子デバイス アルミニウム（Al）とニオブ（Nb）系…
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分子スピンや量子デバイスの実装において、**アルミニウム（Al）とニオブ（Nb）**系材料は二大巨頭です…
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- IEEE 802.15.4 SUN FSK Evaluation
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、5G向けのUTW-OFDMだけでなく、IEEE 802.15.4 SUN (Smart Util…
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- マッハ・ツェンダー干渉計を用いたユニタリ行列の構成方法
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シリコンフォトニクスにおいて、マッハ・ツェンダー干渉計（MZI）を用いて任意のユニタリ行列を構成する…
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- 「VNA価格破壊」ADL5961
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「VNA価格破壊」という言葉は、まさにADL5961が登場した背景を端的に表しています。 これまで数千万円…
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- 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子
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「多重共鳴熱活性化遅延蛍光（Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF）…
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- カーコム（Kerr Comb）電気光学コム（EO Comb）性能比較
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薄膜ニオブ酸リチウム（TFLN）において、**カーコム（Kerr Comb）と電気光学コム（EO Comb）**は、いわ…
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- ミリ波 Network-Controlled Repeater
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ミリ波（mmWave）帯の通信において、**Network-Controlled Repeater（NCR：ネットワーク制御リピータ）*…
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- ホーンアンテナによる部分放電電磁波の広帯域検出
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ホーンアンテナを用いた部分放電（PD: Partial Discharge）の広帯域検出は、電力機器（変圧器、GIS、ケ…
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- 電源レールの測定（パワー・インテグリティ測定）
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電源レールの測定（パワー・インテグリティ測定）は、近年の低電圧・高速動作するICにおいて非常に重要…
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- LEDを光センサーとして使い照明強度を計測
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LEDを光センサー（フォトダイオードモード）として利用するのは、非常に賢く面白いアプローチです。実は…
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- 二次電池内部抵抗測定方法
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電池の内部抵抗を正確に測定するには、「テスターの抵抗測定モード」ではできません。電池の電圧、接触…
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- ボード線図（Bode plot） コール・コールプロット（Nyquist図…
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電気化学測定やLAPSの評価において、**ボード線図（Bode plot）とコール・コールプロット（Nyquist図）*…
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- 3GPP Release 19における5G NTN（NR-NTN）の物理層（PHY）の変…
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3GPP Release 19における5G NTN（NR-NTN）の物理層（PHY）の変更点は、単なる通信維持の段階から、**「…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- Qualcomm SA8155P
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QualcommのSA8155P（Snapdragon Automotive Cockpit Platform Gen 3）は、現代のIVI（車載インフォテイ…
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- Wi-SUN FAN 1.1の海外における現状
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Wi-SUN FAN 1.1の海外における現状は、単なる「電力検針」の枠を超え、**「スマートシティ・インフラの…
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- CNT TFT の HOT TDR評価
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CNT（カーボンナノチューブ）TFT（薄膜トランジスタ）の HOT TDR評価 は、デバイスのスイッチング動作に…
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- VNA メカニカル校正 シム（Offset）
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VNA（ベクトル・ネットワーク・アナライザ）の校正において、ショート（Short）、シム（Shim / Offset）…
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