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- GaN 電力変換効率 向上方法
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GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の電力変換効率を向上させるには、オン抵抗の低減とスイッチング損失の…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- Phase Coherency and Alignment
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「Phase Coherency and Alignment」（位相コヒーレンシーとアライメント）は、複数の信号やシステム間で…
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- 中国の半導体製造装置の現状(2025)
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中国の半導体製造装置市場は、政府の強力な国家戦略と米国の輸出規制を背景に、国内での自給化を目指し…
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- SiCコンポーネント 上面冷却（TSC）パッケージ
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SiC（炭化ケイ素）コンポーネントの上面冷却（TSC: Top Side Cooling）パッケージについて。 TSCパッケ…
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- アウトフェージング増幅器の設計効率化
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💡 アウトフェージング増幅器の設計効率化 アウトフェージング増幅器（Outphasing Amplifie…
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- MLO Wi-Fi 7 (802.11be)
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MLO（Multi-Link Operation）に関する詳細な情報。 MLOは、Wi-Fi 7 (802.11be) の最も重要な新機能の一…
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- フリース (Friis) の雑音の式
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多段のアンプの場合「初期段のNFノイズ対策が十分でないアンプ」は、全体の雑音指数 (NF: Noise Figure)…
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- Wi-Fi 7ルーター（親機）側のハードウェア動向
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最新世代のスマートフォンやゲーム機を最大限に活かすための、Wi-Fi 7ルーター（親機）側のハードウェア…
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- 三菱電機が強みを持つ「人工衛星・防衛技術」USB4応用
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三菱電機の強みである「人工衛星・防衛技術」は、USB4のような超高速通信を車載化する際、単なるオーデ…
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- RHOM 4ピンパッケージ（ケルビン接続）
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ローム（ROHM）が提供する4ピンパッケージ（TO-247-4Lなど）は、**「ケルビン接続（Kelvin Connection）…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- 量子ビットの位相（Phase）が変化することでビットの値（0 と 1…
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量子ビットの位相（Phase）が変化することでビットの値（0 と 1）が入れ替わる現象は、波の**「干渉（In…
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- パスロス係数（Path Loss Exponent: PLE）
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原田博司教授の研究グループが105 GHz帯（サブテラヘルツ帯）で行った測定において、**パスロス係数（Pa…
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- DVB-S2Xの「スループット（伝送効率）」が具体的にどう変化する…
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大気ゆらぎ（ガンマ・ガンマ分布）とポインティングロス（ベックマン分布）が複合する環境下で、DVB-S2X…
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- LoRa ー Wi-Fiゲートウェイ 農地や工場での用途
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農地や工場での利用は、まさにLoRaの強みが最も活きるシナリオです。 それぞれの環境に合わせた具体的…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- ミキサを用いる方式では、2つの独立したアナログ局発（LO）が必…
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従来のミキサ（アナログ）方式で相互相関法を実現しようとすると、ハードウェアのハードルが非常に高く…
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