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- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ（NVM）今後は？
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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- レーダー側の反撃技術（ECCM）
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ECM（攻撃）が進化すれば、レーダー側もそれを見破るためのECCM (Electronic Counter-Countermeasures)…
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- 光子（Photon）＋ 物質の励起（Excitation）＝ ポラリトン
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「光子 ＋ 物質の励起 ＝ ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
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- 二次元物質「日本企業の強み」
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二次元物質のヘテロ構造（ツイストロニクス）の分野において、日本企業は**「世界が頼らざるを得ないキ…
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- Q/Vバンドにおける**デジタル・プリディストーション（DPD）**…
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Q/Vバンド（40/50GHz）において、GaN増幅器から最大出力を引き出しつつ、通信品質（信号のきれいさ）を…
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- SiCやGaNは寄生容量 Cossが小さい
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SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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- VNA 誤差補正のアプリーションノートを紹介
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VNAの誤差補正やディエンベディングはRF計測の「定石」であり、主要な測定器メーカーは非常に優れた教育…
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- 電解コンデンサの下には、回路パターンを配線しない
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電子回路の基板設計（PCBレイアウト）において、**「電解コンデンサの真下にパターンを通さない」**とい…
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- 「組紐（くみひも）」技術の導波管 メーカー
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「ミリ波帯（V-Band）」と「日本の伝統・組紐技術」を融合させたフレキシブル導波管を実現している具体…
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- シリコンメタサーフェスを用いた２次元ナノ材料における光・物…
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シリコンメタサーフェスと2次元（2D）ナノ材料の組み合わせは、ナノフォトニクスにおける最もホットな領…
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- TSN（Time-Sensitive Networking）技術
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TSN（Time-Sensitive Networking）は、標準的なイーサネットを拡張し、**「確定的（デターミニスティッ…
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- Marvell の評価ボードでテストモード（Test Mode 1-6）を起動
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Marvell（マーベル）の車載イーサネットPHY（Brightlaneシリーズ：88Q4364 等）において、IEEE 802.3ch …
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- VNA 2port シリーズスルー（Series-Thru）法
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CNT薄膜トランジスタ（TFT）の特性評価において、2ポート・シリーズスルー（Series-Thru）法は、特にデ…
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- 低ダイナミック抵抗と超低容量を両立したESD保護ダイオード
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低ダイナミック抵抗（Rdyn）と超低容量（Ct）の両立は、高速信号ライン（USB4, Thunderbolt 4, HDMI 2.1…
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- インマルサットシステムの高度化
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インマルサット（Inmarsat）システムは、従来のLバンド（1〜2 GHz帯）を用いた海事・航空安全通信から、…
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- PCIe 6.0 は 64 GT/s
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PCIe 6.0 の 64 GT/s という数字は、単なるスピードアップ以上の技術的限界への挑戦を意味しています。 …
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- 第5世代SiC OBC Crss ローム
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ローム（ROHM）の第5世代SiC MOSFET（開発中・順次投入）は、車載充電器（OBC）の次世代スタンダードを…
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- 原子層エッチング（ALE）
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原子層エッチング（ALE: Atomic Layer Etching）は、前述のALD（原子層堆積）を鏡写しにしたような技術…
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