次世代の先進パッケージング（Advanced Packaging）

次世代の先進パッケージング（Advanced Packaging）

RFアンテナ・イン・パッケージ（AiP）、チップ内蔵型3Dパワー・パッケージ。ウェハレベルRDL、Cuピラーおよびはんだバンプ技術。

先進パッケージング開発、そしてQFNやSOPといった従来の実装技術から、現在の「モア・ザン・ムーア（More than Moore）」へと繋がる技術セットが完璧に網羅されています。

顧客のRF（高周波）からパワー、さらには前工程と後工程の境界を繋ぐ「中工程（Middle-end /ウェハレベルプロセス）」までをワンストップでカバーできるこの技術群について、それぞれの技術的要所と価値をマッピングします。

1. RFアンテナ・イン・パッケージ（AiP）

5G Millimeter-Wave（ミリ波）や将来の6G（サブテラヘルツ帯）において、もはや不可欠となったモジュール技術です。

• 技術の本質： 高周波では、RFIC（トランシーバ）とアンテナ間の基板配線ロス（伝送損失）が最大の敵になります。AiPは、パッケージ基板の最上層または内部にアンテナ素子（パッチアンテナなど）を作り込み、その直下にRFICを反転実装（フリップチップ等）することで、配線長を極限まで短縮します。

• 求められる技術： 低誘電率・低誘電損失（Low-Dk / Low-Df）材料の制御、および高精度な高周波電磁界シミュレーション。微細なRDL（再配線層）による低インピーダンス接続。

2. チップ内蔵型3Dパワー・パッケージ

GaN（窒化ガリウム）やSiC（シリコンカーバイド）といった次世代パワー半導体の性能を100%引き出すための、部品内蔵型3Dパッケージング技術です。

• 技術の本質： 高速スイッチングを行うGaN/SiCでは、従来のワイヤボンディングによる「寄生インダクタンス（$L_{stray}$）」がサージ電圧やノイズの原因になります。チップを基板（コア層や樹脂フレーム）の内部に埋め込み（Embedded）、レーザー経由の銅めっき（Vias）で直接上下接続することで、ループインダクタンスを劇的に低減します。

• メリット： 表裏両面からの放熱が可能になり、熱抵抗（$\theta_{JA}$）が大幅に低下。また、ドライバICや受動部品をチップの真上に3Dスタック（積層）できるため、電源モジュール全体の体積を1/2〜1/3に小型化できます。

3. ウェハレベルRDL、Cuピラーおよびはんだバンプ

前工程（ウエハ製造）と後工程（基板実装）をシームレスに繋ぐ、WLCSP（Wafer-Level CSP）や2.5D/3Dインターポーザ製造のコア・プラットフォーム技術です。

• Wafer-level RDL（再配線層）：

• ウエハ上にポリイミドなどの絶縁膜と銅めっきを用いて、チップの極小パッドピッチ（数μm〜数十μm）を、外部接続可能なピッチへと「ファンアウト（拡幅）」または「ファンイン」させます。

• Cu Pillar（銅ピラーバンプ）：

• 従来の球状はんだ（Solder Ball）に代わり、めっきで精密に高さを制御した「銅の柱（ピラー）」を形成し、その先端にのみ薄くはんだ（キャップ）を設ける技術です。

• • メリット： はんだが横に広がりすぎるのを防げる（ショート防止）ため、接続ピッチを100μm以下（最先端では数μm〜40μmピッチ）まで一気に微細化できます。また、電気・熱伝導率も大幅に向上します。

• Solder Bumping（はんだバンピング）：

• 電解めっきやボールマウンタを用いて、ウエハ上に均一なマイクロバンプを形成します。フリップチップ実装や、先述の先進パッケージ基板への高密度接合（2.5D実装など）における確実な接合を保証します。

俯瞰的シナジー

この提案（Webサイトのケイパビリティ表示や技術提案書を想定）の最大の強みは、「高周波（AiP）」と「大電流・高熱（3D Power）」という、物理的アプローチが全く異なる2つのハイエンド領域に対して、共通のコア技術（ウエハレベルのRDLやCu Pillarなどの高精度後工程プラットフォーム）を応用してソリューションを提供できる点にあります。

もしこれが特定の共同開発や、新規顧客への提案に向けた技術ドキュメントの作成であれば、特定のアプリケーション（例：車載向け800Vシステム、xEV用オンボードチャージャー、ミリ波レーダーモジュールなど）にフォーカスした形にさらに具体化できます。どのようなコンテキストでお使いになるかによって、適切な技術データの肉付け（例：ピラーピッチの実績値、対応可能なウエハサイズなど）をサポートいたします。

参考：The 2026 IEEE 76th Electronic Components and Technology Conference

https://ectc.net/

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MOIPシリーズの製品ページを見る

Brochure-SigOFITGen3optical-fiberisolatedprobe

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	SNA6000A シリーズ ベクトル・ネットワークアナライザ 主な特長 ・周波数範囲：100 kHz～50 GHz ・ダイナミックレンジ：135 dB ・IF帯域幅範囲：1 Hz～10 MHz ・出力電力設定範囲：-60 dBm～+20 dBm ・4ポート（2信号源）Sパラメータ測定、差動（平衡）測定、時間領域解析、スカラー・ミキサ測定などに対応します。 ・オプション・アクセサリとして、電子校正キット、スイッチ・マトリクス、メカニカル・スイッチを用意しています。 ・AFR

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