用語集
- 最新のGaN-on-Diamond
- 最新のTEG（Test Element Group）ケルビン
- 最新レーダー Dバンド SiGe実装により最大56GHzの瞬時帯域幅
- 最大IFBWが小さなVNAを10HzのIFBWで使用した場合のデメリット
- 雑音指数（NF: Noise Figure）測定
- 雑音指数測定における直線性の高いディテクタ、SSBレシーバ・アーキテクチャの役割
- 三菱電機が強みを持つ「人工衛星・防衛技術」USB4応用
- 三菱電機モビリティ USB4
- 酸化ガリウム 量産性 製造コスト
- 酸化ガリウム（Ga2O3）半導体
- 酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイス
- 酸化ガリウム（β-Ga2O3）デバイスへの応用例（SBDやMOSFETなど）
- 酸化ハフニウム
- 酸化物半導体チャネルトランジスタRAM（OCTRAM）
- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
- 酸化膜厚（Oxide Thickness）測定方法は
- 酸化膜電荷（Oxide Charge）とは
- 四端子対構成をオペアンプを使って実現
- 市販のTRL校正キットの例
- 持ち運びに便利なタブレットオシロスコープの特徴
- 時間軸 とは
- 時間領域と周波数領域の違い
- 次世代 X-nics 半導体創生とは
- 次世代VVVF