GLOSSARY用語集

• 1.8Vラインの微小リップル観測

  1.8V系の電源ライン（特にFPGAのコア電圧やDDR4のI/O電源など）において、許容誤差3%（±54mV）以内の微…

  • Scope

• ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング

  ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…

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  • SEM

• Qualcomm SA8155P

  QualcommのSA8155P（Snapdragon Automotive Cockpit Platform Gen 3）は、現代のIVI（車載インフォテイ…

  • Scope

• Wi-SUN FAN 1.1の海外における現状

  Wi-SUN FAN 1.1の海外における現状は、単なる「電力検針」の枠を超え、**「スマートシティ・インフラの…

  • SA
  • Scope
  • SG

• CNT TFT の HOT TDR評価

  CNT（カーボンナノチューブ）TFT（薄膜トランジスタ）の HOT TDR評価 は、デバイスのスイッチング動作に…

  • VNA

• VNA メカニカル校正　シム（Offset）

  VNA（ベクトル・ネットワーク・アナライザ）の校正において、ショート（Short）、シム（Shim / Offset）…

  • VNA

• 900MHz帯を利用する新たな無線利用 Wi-SUN Alliance

  900MHz帯におけるWi-SUN Allianceの活動は、現在進行中の電波再編（MCA無線の終了に伴う空き帯域の活用…

  • SA
  • SG

• 第5世代SiC

  第5世代（Gen 5）のSiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、主にチップサイズの縮小、電力密度の向上、そし…

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  • SEM

• ASUS ASCENT GX10

  ASUS Ascent GX10は、NVIDIAが発表した「DGX Spark」をベースにした、デスクサイド向けの超小型AIスーパ…

  • Scope

• AEC-Q102

  AEC-Q102の概要 AEC-Q102は、自動車エレクトロニクス協議会（AEC）が策定した、車載用光デバイス（Opto…

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• 安定係数　K

  高周波デバイスの評価、特にMasonの単方向利得 U の計算式に登場する K (安定係数) と Re (実部) につい…

  • VNA

• GeO2（二酸化ゲルマニウム）

  二酸化ゲルマニウム（GeO2）は、2020年代に入り、酸化ガリウム（Ga2O3）と並んで「次々世代」の超ワイド…

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• 6.5kV Full-SiCモジュールの内部レイアウト

  三菱電機や日立製作所が手がける 6.5kV Full-SiCパワーモジュール（主にHV100やXHPといった大容量標準パ…

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• 分散型増幅器（DA）最新動向

  分散型増幅器（DA: Distributed Amplifier、または進行波増幅器）は、トランジスタの寄生容量を疑似伝送…

  • SA
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  • SG

• GaN SBDのオン抵抗

  GaN（窒化ガリウム）を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）は、従来のSi（シリコン）やSiC（炭化…

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• ASIL-Dシステム

  ASIL-D（Automotive Safety Integrity Level D）は、自動車の電気・電子（E/E）システムの機能安全に関…

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• kHz

   周波数の単位で、1,000Hz

  • か行

• 波形取込レートとは

  オシロスコープが波形の取込をどれだけ高速に行えるかを示し、1秒あたりの波形数（wfms/s）で表す

  • は行

• Q&A(トリガの設定)

  質問：御社では電流ブローブは無いのでしょうか？ 一般的はオシロスコープ用のブローブなら使えるのでし…

  • あ行

• Micsig（ミクシグ）とは

  Micsig（ミクシグ）は、2012年に中国・深圳で設立された電子計測機器メーカーであり、特にタブレット型オ…

  • ま行