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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- Ceyear 3674 VNAによる「相互変調歪み」測定
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Ceyear 3674 VNAによる「相互変調歪み」では下記パラメータの測定が可能です。 …
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- DONUT LAB全固体電池 「5分充電」を支えるインフラ（充電器）…
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DONUT LABが掲げる「5分充電（フル充電）」という驚異的なスピードは、電池側の性能だけでなく、それを…
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- BLE SoCを搭載した「技適取得済みモジュール」
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SoC単体ではなく、すでにアンテナや受動部品が実装され、日本国内の「技適」を取得済みのモジュールを紹…
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- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ（NVM）今後は？
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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- レーダー側の反撃技術（ECCM）
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ECM（攻撃）が進化すれば、レーダー側もそれを見破るためのECCM (Electronic Counter-Countermeasures)…
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- 光子（Photon）＋ 物質の励起（Excitation）＝ ポラリトン
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「光子 ＋ 物質の励起 ＝ ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
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- 二次元物質「日本企業の強み」
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二次元物質のヘテロ構造（ツイストロニクス）の分野において、日本企業は**「世界が頼らざるを得ないキ…
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- Q/Vバンドにおける**デジタル・プリディストーション（DPD）**…
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Q/Vバンド（40/50GHz）において、GaN増幅器から最大出力を引き出しつつ、通信品質（信号のきれいさ）を…
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- SiCやGaNは寄生容量 Cossが小さい
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SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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- VNA 誤差補正のアプリーションノートを紹介
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VNAの誤差補正やディエンベディングはRF計測の「定石」であり、主要な測定器メーカーは非常に優れた教育…
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- 電解コンデンサの下には、回路パターンを配線しない
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電子回路の基板設計（PCBレイアウト）において、**「電解コンデンサの真下にパターンを通さない」**とい…
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- 「組紐（くみひも）」技術の導波管 メーカー
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「ミリ波帯（V-Band）」と「日本の伝統・組紐技術」を融合させたフレキシブル導波管を実現している具体…
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- マイクロ波磁場励起によるプラズマ発生
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マイクロ波磁場励起（特に電子サイクロトロン共鳴：ECR）によるプラズマ発生は、現代の半導体製造や材料…
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- シリコンメタサーフェスを用いた２次元ナノ材料における光・物…
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シリコンメタサーフェスと2次元（2D）ナノ材料の組み合わせは、ナノフォトニクスにおける最もホットな領…
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- TSN（Time-Sensitive Networking）技術
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TSN（Time-Sensitive Networking）は、標準的なイーサネットを拡張し、**「確定的（デターミニスティッ…
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- Marvell の評価ボードでテストモード（Test Mode 1-6）を起動
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Marvell（マーベル）の車載イーサネットPHY（Brightlaneシリーズ：88Q4364 等）において、IEEE 802.3ch …
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- VNA 2port シリーズスルー（Series-Thru）法
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CNT薄膜トランジスタ（TFT）の特性評価において、2ポート・シリーズスルー（Series-Thru）法は、特にデ…
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