GLOSSARY用語集

• LNAのNFと線形性（IP3）のトレードオフ

  LNA（低雑音増幅器）の設計における**NF（雑音指数）と線形性（主にIP3: 三次相互変調点）のトレードオ…

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• Broadcom の「FBAR フィルター」がなぜ Wi-Fi 7 で重要なのか

  Broadcomの FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator：空隙型バルク弾性波）フィルター が Wi-Fi 7 で決定的…

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• Foxconn (鴻海精密工業) USB4

  Foxconn（鴻海精密工業）は、世界最大の電子機器受託製造サービス（EMS）企業として知られていますが、U…

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• IDC、「Global Data Sphere Forecast (2024-2029)

  IDC（International Data Corporation）が発表した「Global DataSphere Forecast, 2024-2029」によると…

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• 「UEC対応チップ」の性能

  2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…

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• DRAMとNANDフラッシュメモリの動向

  2026年現在、DRAMとNANDフラッシュメモリの市場は、AI（人工知能）向け需要の爆発的な増加と、それに伴…

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• 分子スピン 量子デバイス アルミニウム（Al）とニオブ（Nb）系…

  分子スピンや量子デバイスの実装において、**アルミニウム（Al）とニオブ（Nb）**系材料は二大巨頭です…

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• IEEE 802.15.4 SUN FSK Evaluation

  京都大学の原田博司教授の研究グループは、5G向けのUTW-OFDMだけでなく、IEEE 802.15.4 SUN (Smart Util…

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• マッハ・ツェンダー干渉計を用いたユニタリ行列の構成方法

  シリコンフォトニクスにおいて、マッハ・ツェンダー干渉計（MZI）を用いて任意のユニタリ行列を構成する…

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• 「VNA価格破壊」ADL5961

  「VNA価格破壊」という言葉は、まさにADL5961が登場した背景を端的に表しています。 これまで数千万円…

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• 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子

  「多重共鳴熱活性化遅延蛍光（Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF）…

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• カーコム（Kerr Comb）電気光学コム（EO Comb）性能比較

  薄膜ニオブ酸リチウム（TFLN）において、**カーコム（Kerr Comb）と電気光学コム（EO Comb）**は、いわ…

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• ミリ波 Network-Controlled Repeater

  ミリ波（mmWave）帯の通信において、**Network-Controlled Repeater（NCR：ネットワーク制御リピータ）*…

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• ホーンアンテナによる部分放電電磁波の広帯域検出

  ホーンアンテナを用いた部分放電（PD: Partial Discharge）の広帯域検出は、電力機器（変圧器、GIS、ケ…

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• POMの具体的な化学構造（ケギン型など）

  POM（ポリオキソメタレート）は、その構造によって電子の保持能力（蓄電性）や誘電特性が大きく異なりま…

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• Wi-Fi7 AFC SPモード　製品比較

  2026年現在、Wi-Fi 7とAFC（自動周波数調整）によるSP（Standard Power：標準電力）モードに対応した製…

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• ソリッドステート・トランス (SST)

  ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス（Solid State Transformer: SST）…

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• センサーフュージョン

  2025年から2026年にかけて、Yole Groupの分析によれば、センサーフュージョンは単なる「データの組み合…

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• 1.8Vラインの微小リップル観測

  1.8V系の電源ライン（特にFPGAのコア電圧やDDR4のI/O電源など）において、許容誤差3%（±54mV）以内の微…

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• ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング

  ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…

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