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- エレクトロニックカウンター測定（ECM）と デジタル無線周波数…
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エレクトロニックカウンター測定（ECM）; デジタル無線周波数メモリ（DRFM） これらは現代の空軍力や…
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- vdW積層材料 電子の動きを1層の中に閉じ込める
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電子を1層（2次元）の中に閉じ込めることは、vdW積層材料の驚異的な物性を生み出す根本的なメカニズムで…
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- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
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二次元半導体、特に**遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD：MoS2, WSe2など）**の光学的性質は、従来のバル…
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- GaN増幅器とフェーズドアレイアンテナの統合技術
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Q/VバンドにおけるGaN（窒化ガリウム）増幅器とフェーズドアレイアンテナ（PAA）の統合は、次世代の低軌…
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- 損失を最小化する「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」
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損失を最小化するための**「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」**は、急速充電器のように入力電…
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- ハイブリッドインバータ（パワーコンディショナ）の製品例
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ニチコン、長州産業、オムロンなどの主要メーカーが展開しているハイブリッドインバータ（パワーコンデ…
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- 光工学業績賞・功績賞（高野榮一賞）
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「光工学業績賞・功績賞（高野榮一賞）」について。 この賞は、日本の光学機器産業や光工学の発展に多…
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- 半導体スーパージャンクション
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スーパージャンクション（SJ）構造の概要 スーパージャンクション（SJ）構造は、パワーMOSFETの性能を…
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- Bluetooth 7 HDT の物理層パケット構造
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Bluetooth 7 で導入が予定されている HDT (High Data Throughput) モードは、従来の Bluetooth LE (Low …
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- 光の準粒子とキラル物質科学
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光の準粒子（主にポラリトン）とキラル物質科学の融合は、次世代の光子工学や材料科学において極めて重…
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- アイ・スキャン（Eye Scan）の見方
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IBERTなどのツールで表示される**アイ・スキャン（Eye Scan）**の結果は、高速信号がどれだけ「健全に」…
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- 10Gリンク確立後のSQI（信号品質）評価
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10Gリンクが確立された後、通信が安定しているかを判断する最も重要な指標が SQI (Signal Quality Indic…
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- CNT薄膜トランジスタ（TFT）のCV測定（容量-電圧測定）
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CNT薄膜トランジスタ（TFT）の**CV測定（容量-電圧測定）**は、チャネル形成のプロセス、界面準位、そし…
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- DC Bias-Tの付いていないVNAに外付けでバイアスTを使用する場合…
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DCバイアスティー（Bias-T）を外付けで使用する場合、VNA単体では見えてこない「回路としての振る舞い」…
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- 920MHz帯の電波法（ARIB STD-T108）
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日本国内で920MHz帯を利用する無線機器を設計・評価する際、ARIB STD-T108（特定小電力無線局）の遵守は…
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- PCI Express6.0／CXL3.0 とは
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PCI Express (PCIe) 6.0 と CXL (Compute Express Link) 3.0 は、データセンターや AI 基盤のパフォーマ…
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- EV用車載充電器（OBC）: 800Vシステム 事例 第5世代SiC
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800Vシステムを採用するEV（電気自動車）において、第5世代SiC MOSFETと平面トランスを組み合わせた車載…
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- 原子層堆積（ALD）
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原子層堆積（ALD: Atomic Layer Deposition）は、ナノシートFETやCFETといった、ナノメートル単位の立体…
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- デジタル・アシスト 補正
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デジタル・アシスト（Digital-Assist）技術は、アナログ回路の物理的な限界や不完全性を、後段のDSP（デ…
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