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  • LNAのNFと線形性(IP3)のトレードオフ
    LNA(低雑音増幅器)の設計における**NF(雑音指数)と線形性(主にIP3: 三次相互変調点)のトレードオ…
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  • Broadcom の「FBAR フィルター」がなぜ Wi-Fi 7 で重要なのか
    Broadcomの FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator:空隙型バルク弾性波)フィルター が Wi-Fi 7 で決定的…
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  • Foxconn (鴻海精密工業) USB4
    Foxconn(鴻海精密工業)は、世界最大の電子機器受託製造サービス(EMS)企業として知られていますが、U…
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  • IDC、「Global Data Sphere Forecast (2024-2029)
    IDC(International Data Corporation)が発表した「Global DataSphere Forecast, 2024-2029」によると…
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  • 「UEC対応チップ」の性能
    2026年現在、UEC(Ultra Ethernet Consortium) Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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  • DRAMとNANDフラッシュメモリの動向
    2026年現在、DRAMとNANDフラッシュメモリの市場は、AI(人工知能)向け需要の爆発的な増加と、それに伴…
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  • 分子スピン 量子デバイス アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)系…
    分子スピンや量子デバイスの実装において、**アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)**系材料は二大巨頭です…
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  • IEEE 802.15.4 SUN FSK Evaluation
    京都大学の原田博司教授の研究グループは、5G向けのUTW-OFDMだけでなく、IEEE 802.15.4 SUN (Smart Util…
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  • マッハ・ツェンダー干渉計を用いたユニタリ行列の構成方法
    シリコンフォトニクスにおいて、マッハ・ツェンダー干渉計(MZI)を用いて任意のユニタリ行列を構成する…
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  • 「VNA価格破壊」ADL5961
    「VNA価格破壊」という言葉は、まさにADL5961が登場した背景を端的に表しています。 これまで数千万円…
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  • 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子
    「多重共鳴熱活性化遅延蛍光(Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF)…
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  • カーコム(Kerr Comb)電気光学コム(EO Comb)性能比較
    薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)において、**カーコム(Kerr Comb)と電気光学コム(EO Comb)**は、いわ…
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  • ミリ波 Network-Controlled Repeater
    ミリ波(mmWave)帯の通信において、**Network-Controlled Repeater(NCR:ネットワーク制御リピータ)*…
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  • ホーンアンテナによる部分放電電磁波の広帯域検出
    ホーンアンテナを用いた部分放電(PD: Partial Discharge)の広帯域検出は、電力機器(変圧器、GIS、ケ…
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  • POMの具体的な化学構造(ケギン型など)
    POM(ポリオキソメタレート)は、その構造によって電子の保持能力(蓄電性)や誘電特性が大きく異なりま…
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  • Wi-Fi7 AFC SPモード 製品比較
    2026年現在、Wi-Fi 7とAFC(自動周波数調整)によるSP(Standard Power:標準電力)モードに対応した製…
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  • ソリッドステート・トランス (SST)
    ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス(Solid State Transformer: SST)…
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    • SEM
  • センサーフュージョン
    2025年から2026年にかけて、Yole Groupの分析によれば、センサーフュージョンは単なる「データの組み合…
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  • 1.8Vラインの微小リップル観測
    1.8V系の電源ライン(特にFPGAのコア電圧やDDR4のI/O電源など)において、許容誤差3%(±54mV)以内の微…
    • Scope
  • ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
    ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束(磁界)**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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最初…96979899100101102103104…最後
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