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- サブテラヘルツ帯光電融合技術
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サブテラヘルツ帯光電融合技術は、エレクトロニクス（無線）技術とフォトニクス（光）技術の知見や要素…
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- 1.6T セラミック基板 低tan δ
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🧱 1.6 T セラミック基板と低 tan δ 1.6 T（1600 Gbps）のような超高速通信では、従来の有機プリント基…
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- 広帯域ドライバ集積型コヒーレント変調器 (HB-CDM)
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広帯域ドライバ集積型コヒーレント変調器、通称 HB-CDM (High-Bandwidth Coherent Driver Modulator) に…
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- パンクチャリングによる通信効率の改善
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パンクチャリング技術によって得られる通信効率の改善は、特に「電波が混み合っている環境」で劇的な差…
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- スピントロニクスAIプロセッサ 中国での研究
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中国におけるスピントロニクスAIプロセッサの研究は、現在世界トップクラスの猛追を見せており、一…
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- SiC MOSFET「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層」
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SiC MOSFETの最新技術である**「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層（シールド層）」**は、…
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- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
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48Vシステム、特に自動運転（AD）や電子制御ブレーキ（brakes-by-wire）などの安全に関わるシステムでは…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- Auracast™ の普及
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2026年は、Bluetoothの次世代音声規格「Auracast™（オーラキャスト）」が、一部の技術好きのツールから…
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- Under-display Face ID
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iPhone 18シリーズでうわさされる、「画面下埋め込み型Face ID（Under-display Face ID）」は、iPhoneの…
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- vdW積層材料 特定の物理現象
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vdW積層材料において、従来の材料では考えられないような**「特定の物理現象」**がいくつか発見されてい…
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- Q/Vバンドで使われる高効率な GaN（窒化ガリウム）増幅器 の特性
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Q/Vバンド（40/50GHz帯）の衛星通信において、**GaN（窒化ガリウム）を用いた高出力増幅器（SSPA/HPA）*…
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- SR-SAB 損失解析（コア損と銅損の配分）
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磁気統合されたトランスを用いるSR-SABでは、通常のトランスとは異なり**「漏れ磁束を積極的に利用する…
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- キャリアレスハイブリッドインバータ
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「キャリアレスハイブリッドインバータ」について、その仕組みとメリットを整理して解説します。 簡単…
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- 光・量子エレクトロニクス業績賞（宅間宏賞）
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「光・量子エレクトロニクス業績賞（宅間宏賞）」について解説します。 この賞は、日本のレーザー科学…
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- PSK Reporterの使い方
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WSJT-Xの設定が完了し、デコード（解読）ができるようになったら、次はPSK Reporterを活用しましょう。 …
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- LEDドライバICの寄生パラメータ
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LEDドライバを統合回路（IC）化し、高密度・高周波で動作させる際に避けて通れないのが**「寄生パラメー…
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- DRT法（緩和時間分布法）
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DRT法（Distribution of Relaxation Times）は、全固体電池のインピーダンス解析において「重なった円弧…
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