用語集「0-9」
該当する用語はありません。
- 1 GHz帯オシロスコープの用途と選び方
- 1.0mm 0.8mm ミリ波コネクタ規格
- 1.6T セラミック基板 低tan δ
- 1.8Vラインの微小リップル観測
- 1.8VレールのノイズがRFサンプリング精度（EVM）に与える影響
- 10 MHz to 110 GHz Ultra-Wideband Distributed Amplifier メーカー比較
- 10 MHz の信号を観測するには帯域幅はいくつ必要？
- 100Gbaud EML
- 100Gbaud VCSEL
- 100Gbps コヒーレント変調器(SFF)
- 100Gbpsコヒーレント変調器（SFF）メーカー
- 100GBpsを実現する新素材チップ（InPやGaN）のロードマップ
- 100Gbpsを超えるような超高速・高周波（100GHz〜300GHz）通信を実現するための材料
- 100Gbps伝送を実現するための具体的な課題
- 100TB HDD ロードマップ
- 100V Nチャンネル車載グレードMOSFET
- 「105 GHz / 4 GHz帯域幅」を用いた視通（LoS: Line-of-Sight）マルチパス測定
- 1060nm MMFのモード分散
- 10BASE-T1S 対応の主要な PHY チップ 比較
- 10GHzのVCOのSSB位相雑音を安価に測りたい
- 10Gリンク確立後のSQI（信号品質）評価
- 10kV Full-SiC 10ns立ち上がりを観測するために必要なオシロスコープの帯域は？
- 10kV Full-SiCモジュールの内部レイアウト
- 10kV SiC MOSFETを採用したインバータ
- 10kV耐圧SiC MOSFET「CPM3-10000-0300A」 リファレンスプラットフォーム
- 10kV超級のSiC MOSFETを用いたインバータ・コンバータ技術 論文
- 10kV超級の超高耐圧SiC MOSFET次世代新幹線 リニア新幹線での利用
- 12bitオシロスコープとは
- 12V安定化電源とは？
- 12ビット vs 8ビット
- 12ビットADCとは？
- 12ビットオシロスコープとは
- 12ビットオシロスコープならではの仕組み
- 140nm SiGe BiCMOS とは
- 18650リチウムイオン二次電池
- 18kV SiC MOSFETを採用したインバータ
- 1GHz以下の携帯周波数帯域（サブギガ帯）
- 1MW級高電圧直流給電（HVDC）の重要性
- 1path2port S11/S21同時測定可能なVNA付きローコストスペアナ
- 1ビットアンプ
- 1ビット時間変調リフレクトアレイ（1ビットTMRA）
- 1台2役！OWON SPMシリーズで電源と測定を同時に
- 2-フェニルピリジンまたは3-フェニルピリジンという有機材料を正孔輸送層に注入
- 2.4GHz/5GHz/6GHzを同時に使う「MLO（マルチリンク・オペレーション）」
- 2.92mm (Kコネクタ)、3.5 mmコネクタ、SMAコネクタ、SSMAコネクタ
- 200 MHz帯広帯域移動無線中継通信用無線設備
- 2000 V整流器とは
- 200G/レーン SerDesの技術成熟
- 2026 IEEE International MTT Symposia トピックス
- 20Gs/s 12bit 4ch ADC市販品
- 212-Gb/s Driver-less SiPh Modulator
- 224G PAM-4
- 22GHz帯FWAシステムとは
- 22GHz帯無線アクセスシステム（FWA）の高度化
- 28Gbps 高速I/O（SerDes）FPGA 評価ボード
- 2ch VSA を SDRで作る
- 2chリアルタイムスペアナのコヒーレント測定を使用した遠方界と近傍界の相関測定
- 2G GSMとは
- 2nm世代のGAA（Gate-All-Around）構造（特にNSFET：ナノシートFET）
- 2portVNA（ジャンパー付き）の周波数拡張
- 2x-Thru テストフィクスチャ（Fixture A と Fixture B）異なる場合
- 2x-Thru構造 VNA校正 ディエンベディング
- 2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計
- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
- 2次高調波歪みとは
- 2番手ではだめですか？の心理
- 3.5mm と 2.92mm (K) 2.4mmと2.92mm (K) コネクタ互換
- 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
- 300GHz帯積層共振器アンテナ
- 300Wクラスで選ぶ直流電源ベスト3：SPE・SPM・SPS比較
- 3GPP Release 19 VNAやVSGを用いた評価手法の変化
- 3GPP Release 19における5G NTN（NR-NTN）の物理層（PHY）の変更点
- 3GPP Release 20とは
- 3コイル球面モータ
- 3コイル球面モータ 多自由度ロボット関節
- 3つの主要測定器の役割と使い分け、オシロスコープ・スペアナ・VNAとは何か
- ３次元構造を用いた先端光チップ
- 3相電圧形インバータ 180度通電と120度通電の違い
- 400MHz帯デジタル船上通信設備 (4値FSK方式)
- 400V/800Vといった高電圧（HV：High Voltage）ライン
- 4096-QAMとは
- 433MHz帯タイヤ空気圧モニタ及びリモートキーレスエントリ
- 433MHz帯タイヤ空気圧モニタ及びリモートキーレスエントリの導入
- 48VシステムにおけるDC/DCコンバータ
- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
- 48V車載システムにおける保護部品（eFuse / 理想ダイオード）
- 48V車載パワー・システム
- 4chコヒーレント信号発生器
- 4chコヒーレント信号発生器 MIMO
- 4chコヒーレント信号発生器の活用事例
- 4chコヒーレント信号発生器の活用事例（例：レーダー）
- 4F2のような超高密度なセル面積
- 4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFET 300°C極高温動作のメリット
- 4portでのAFR（Automatic Fixture Removal）
- 5.9GHz帯V2Xの検討状況
- 500㎸級のHVDCケーブル
- 56Gbps PAM4
- 56Gbps PAM4 イコライザ（CTLE/DFE）の調整
- 5G 「他セルからの干渉除去」
- 5G Era（5G時代）とは
- 5G evolution とは？
- 5G FR3 6Gを見据えた技術トレンド
- 5G NR OTA Measurement, multi-PCI and multi-beam analysis
- ５G NTN MWC2026 最新情報
- 5G NTN衛星とは？
- 5G RedCap（5G NR-Light）とは
- 5G 世界の端末数 国別ランキング
- 5G 超多素子アンテナ
- 5G-Advancedの特徴
- 5Gアドバンスド HAPSとは？
- 5Gインフラシェアリングの現状
- 5GにおけるCA
- ５Ｇの周波数割当てに関する海外の動向
- 5Gミリ波の可能性と成長率
- 6.5GHz帯無線LANのAFCシステム
- 6.5kV Full-SiCモジュールの内部レイアウト
- 6dBのアッテネータ NF とGainは？
- ６G 無線アクセスは「AIネイティブ」
- 6G（IMT-2030）
- 6GHz高域帯（6425-7125MHz）への周波数拡張
- 6GHz帯無線LAN（SPモード）
- 6Gテクノロジーの実現に向けた計測ネットワーク（メトロロジー）の開発
- 6GとIOWN
- 6Gに向けたテラヘルツ帯フェーズドアレイ無線技術
- 6Gの期待 産業への影響
- 700MHz帯高度道路交通システム
- 74HC4046
- 74HC4046 自作評価ボード
- 8-way SMT bandpass filterの用途
- 800Gbps及び1.6Tbps光トランシーバ
- 800MHz帯3次元測位システムとは?
- 800VシステムのEV SiC MOSFET
- 800ZR/ZR+モジュール
- 802.11 be(Wi-Fi 7)とは
- 802.11be/Wi-Fi 7 IEEE 802.11bn
- 80GHz 帯高速無線伝送システムの概要
- 80TOPSを5W以下、エッジAIチップ
- 8T8Rウルトラブロードバンド無線（HP 8T8R UBR） とは？
- 900MHz帯を使用する新たな無線利用 AHPC 802.11ah推進協議会
- 900MHz帯を使用する新たな無線利用 BWA
- 900MHz帯を利用する新たな無線利用 Wi-SUN Alliance
- 920MHz 帯空間伝送型ワイヤレス電力伝送システムとは
- 920MHz帯の電波法（ARIB STD-T108）
- 920MHz帯の無線
- 9GHz帯小型船舶用固体素子レーダーの技術基準