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- 日本で利用している光通信の具体的な技術やネットワーク戦略
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日本国内でハイパースケールデータセンター事業者（AWS、Azure、GCPなど）が利用している光通信の具体的…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI（Fully Depleted Silicon On Insulator）は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
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IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
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- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
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テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
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- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
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48Vシステム、特に自動運転（AD）や電子制御ブレーキ（brakes-by-wire）などの安全に関わるシステムでは…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- Auracast™ の普及
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2026年は、Bluetoothの次世代音声規格「Auracast™（オーラキャスト）」が、一部の技術好きのツールから…
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- 「iPhone 18」シリーズの特徴やスペックの噂
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2026年の登場が期待されている「iPhone 18」シリーズについて、現在ささやかれている主な特徴やスペック…
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- vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）
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vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）の面白い点は、原子1層レベルの「レゴブロック」のよう…
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- 原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度…
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原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度を狙うのは、まさに神業に近い世界です。…
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- Q/Vバンド アップリンク・パワー・コントロール（AUPC）
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Q/Vバンドのような高い周波数帯（ミリ波）を利用する場合、最大の敵は**「雨」**です。Q/VバンドはKaバ…
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- 共振インダクタとトランスの統合設計（磁気統合）
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磁気統合（Magnetic Integration）は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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- 誘導電動機の速度センサレス・ベクトル制御
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誘導電動機の速度センサレス・ベクトル制御について解説します。 通常、ベクトル制御（トルクと磁束を…
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- 化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）
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「化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）」について。 この賞は、青色LEDの発明でノーベル物…
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- WSJT-Xの設定方法
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無線機とPCが接続できたら、次はソフトの設定です。WSJT-Xの設定は「ここがズレていると全くデコード（…
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- ペロブスカイト太陽電池 IV特性 電流の過渡応答
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）のIV特性において、電流の過渡応答は非常に重要なテーマです。シリコンと…
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- Wi-Fi 8とBluetooth 7
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2026年3月のMWC（Mobile World Congress）での発表を経て、Wi-Fi 8 (802.11bn) と Bluetooth 7 は、次世…
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- 亜鉛デンドライト抑制技術の最新進捗
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2026年現在、亜鉛空気電池（ZAB）およびその進化形であるRM-ZABにおいて、最大のボトルネックであった亜…
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