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- 高性能電解コンデンサ WBG用
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高性能電解コンデンサは、WBG(ワイドバンドギャップ)半導体(GaNやSiC)を使用した回路において、特に…
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- サブテラヘルツ帯ビーム走査アンテナ マルチビーム MIMO
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サブテラヘルツ帯における「ビーム走査アンテナとマルチビームMIMO」の組み合わせは、6G通信で求められ…
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- 光モジュール(トランシーバー)の形状 CPO
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データセンターの超高速通信を実現するために、光モジュール(トランシーバー)の形状(フォームファク…
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- Qorvo社 : Wi-Fi 7 向けに最適化された「Non-linear FEM」
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Qorvo(コーボ)社は、Wi-Fi 7 時代における RFFE(無線フロントエンド)のリーダー企業のひとつです。…
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- Luxshare-ICT USB4
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Luxshare-ICT(立訊精密、リュクシェア)は、中国・深センに本社を置く世界屈指の精密電子部品・受託製…
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- TGV(Through Glass Via)の具体的な加工法
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TGV(Through Glass Via:ガラス貫通電極)を形成するための加工法には、大きく分けて**「レーザー改質…
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- 「UEC対応チップ」の性能
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2026年現在、UEC(Ultra Ethernet Consortium) Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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- DRAMとNANDフラッシュメモリの動向
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2026年現在、DRAMとNANDフラッシュメモリの市場は、AI(人工知能)向け需要の爆発的な増加と、それに伴…
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- 分子スピン 量子デバイス アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)系…
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分子スピンや量子デバイスの実装において、**アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)**系材料は二大巨頭です…
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- IEEE 802.15.4 SUN FSK Evaluation
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、5G向けのUTW-OFDMだけでなく、IEEE 802.15.4 SUN (Smart Util…
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- マッハ・ツェンダー干渉計を用いたユニタリ行列の構成方法
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シリコンフォトニクスにおいて、マッハ・ツェンダー干渉計(MZI)を用いて任意のユニタリ行列を構成する…
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- 「VNA価格破壊」ADL5961
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「VNA価格破壊」という言葉は、まさにADL5961が登場した背景を端的に表しています。 これまで数千万円…
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- 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子
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「多重共鳴熱活性化遅延蛍光(Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF)…
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- カーコム(Kerr Comb)電気光学コム(EO Comb)性能比較
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薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)において、**カーコム(Kerr Comb)と電気光学コム(EO Comb)**は、いわ…
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- ミリ波 Network-Controlled Repeater
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ミリ波(mmWave)帯の通信において、**Network-Controlled Repeater(NCR:ネットワーク制御リピータ)*…
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- ホーンアンテナによる部分放電電磁波の広帯域検出
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ホーンアンテナを用いた部分放電(PD: Partial Discharge)の広帯域検出は、電力機器(変圧器、GIS、ケ…
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- 電源レールの測定(パワー・インテグリティ測定)
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電源レールの測定(パワー・インテグリティ測定)は、近年の低電圧・高速動作するICにおいて非常に重要…
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- LEDを光センサーとして使い照明強度を計測
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LEDを光センサー(フォトダイオードモード)として利用するのは、非常に賢く面白いアプローチです。実は…
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- ソリッドステート・トランス (SST)
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ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス(Solid State Transformer: SST)…

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