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- 「UEC対応チップ」の性能
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2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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- 極低温エッチング（Cryogenic Etching）
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ウエハーを極低温に冷却しながらHF（フッ化水素）プラズマを用いるエッチング技術は、次世代の半導体微…
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- 発電もできる有機EL素子
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「発電もできる有機EL素子」という技術は、次世代のエネルギーデバイスとして非常に注目されています。…
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- 100Gbpsを超えるような超高速・高周波（100GHz〜300GHz）通信を…
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100Gbpsを超えるような超高速・高周波（100GHz〜300GHz）通信を実現するためには、従来のシリコン（CMOS…
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- 「STARアーキテクチャ」の仕組み
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富士通が提唱する**「STARアーキテクチャ」**は、FTQC（汎用型量子コンピューター）を実現するための最…
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- LoRa ESP32」マイコンボード
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ESP32は、Arduino IDEで開発できるマイコンの中でもWi-FiとBluetoothが標準搭載されており、LoRa-Wi-Fi…
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- 二次元層状物質の人工ヘテロ構造
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二次元（2D）層状物質の人工ヘテロ構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）は、現代の材料科学において…
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- DC/DCコンバーターの「脳」フィードバック制御
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DC/DCコンバーターの「脳」にあたるのがフィードバック制御です。出力電圧が目標からズレないよう、常に…
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- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- POMの具体的な化学構造（ケギン型など）
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POM（ポリオキソメタレート）は、その構造によって電子の保持能力（蓄電性）や誘電特性が大きく異なりま…
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- Wi-Fi7 AFC SPモード 製品比較
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2026年現在、Wi-Fi 7とAFC（自動周波数調整）によるSP（Standard Power：標準電力）モードに対応した製…
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- ソリッドステート・トランス (SST)
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ソリッドステート・トランス (SST) とは ソリッドステート・トランス（Solid State Transformer: SST）…
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- センサーフュージョン
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2025年から2026年にかけて、Yole Groupの分析によれば、センサーフュージョンは単なる「データの組み合…
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- 1.8Vラインの微小リップル観測
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1.8V系の電源ライン（特にFPGAのコア電圧やDDR4のI/O電源など）において、許容誤差3%（±54mV）以内の微…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- Qualcomm SA8155P
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QualcommのSA8155P（Snapdragon Automotive Cockpit Platform Gen 3）は、現代のIVI（車載インフォテイ…
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- Wi-SUN FAN 1.1の海外における現状
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Wi-SUN FAN 1.1の海外における現状は、単なる「電力検針」の枠を超え、**「スマートシティ・インフラの…
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- CNT TFT の HOT TDR評価
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CNT（カーボンナノチューブ）TFT（薄膜トランジスタ）の HOT TDR評価 は、デバイスのスイッチング動作に…
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- VNA メカニカル校正 シム（Offset）
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VNA（ベクトル・ネットワーク・アナライザ）の校正において、ショート（Short）、シム（Shim / Offset）…
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