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- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
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DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調（二相変調）の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…
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- NVセンサー BMSの通信安定性評価や、スイッチングノイズ（EMI）…
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BMS（バッテリーマネジメントシステム）の通信安定性と、パワー系から発生するスイッチングノイズ（EMI…
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- T-ブランチ（Tree）トポロジ vs. Fly-byトポロジ
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DDR2や一部のDDR3で主流だったT-ブランチ（Tree）トポロジと、現在のDDR4/5で標準的なFly-byトポロジの…
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- ADSP (Sensors/Audio DSP)
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SA8155Pにおける**ADSP (Audio/Sensors DSP)**は、USB PD 3.2の実装において、特に「オーディオ伝送（US…
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- Wi-SUN vs. ZigBee IEEE 802.15.4
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Wi-SUNとZigBeeは、どちらもIEEE 802.15.4をベースとした低消費電力の無線規格（メッシュネットワーク対…
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- CNT-TFT 界面トラップによる1/fノイズが大きい
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CNT-TFTにおいて、**界面トラップに起因する1/fノイズ（フリッカノイズ）**は、デバイスの高周波特性や…
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- WR90（Xバンド：8.2 GHz ～ 12.4 GHz）でのシムの厚み
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WR90（Xバンド）の校正キットにおいて、メーカー（KeysightやAnritsuなど）が採用しているシム（Offset …
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- cispr 11 ISM機器
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CISPR 11は、産業・科学・医療用（ISM：Industrial, Scientific and Medical）無線周波数機器から発生す…
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- 第5世代SiC vs IGBT製品比較
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第5世代SiC MOSFETと、長年パワーエレクトロニクスの主役であった「枯れた技術」である**Si-IGBT（絶縁…
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- USB PD 3.1 ERP
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「USB PD 3.1 EPR（Extended Power Range）」について。 従来のUSB PD 3.0では最大100W（20V/5A）が限…
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- 群遅延 SAWフィルタ vs CNTフィルタ
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CNT-TFTを用いたアクティブフィルタと、通信機器で広く使われているSAW（表面弾性波）フィルタの差別化…
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- 米Element Six（エレメントシックス）ダイヤモンド半導体
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ダイヤモンド採掘・販売大手のデビアス傘下のElement Six（エレメントシックス）が日本の資金や技術を活…
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- 10kV Full-SiC 10ns立ち上がりを観測するために必要なオシロス…
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10kVという超高電圧が、わずか 10ns（ナノ秒） で立ち上がる（あるいは遮断する）超高速過渡現象を、波…
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- 宇宙空間におけるRFIC
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宇宙空間（人工衛星、宇宙探査機、月面・火星探査など）で動作するRFIC（高周波集積回路）は、地球上の…
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- DrMOS（Driver + MOSFET）
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「電力段（パワー・ステージ）を担うDrMOS」、その内部構造や、なぜ大電流・高効率が求められる高性能So…
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- 超小型SAR（合成開口レーダー）衛星
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超小型SAR（合成開口レーダー）衛星は、現在、宇宙ビジネスおよびリモートセンシングの世界で最も熱いイ…
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- ボルツマン定数 Boltzmann constant
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ボルツマン定数（通常 k または kB と表記）は、微視的な粒子が持つ熱エネルギーと、巨視的な温度（絶対…
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