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SiC（炭化ケイ素）コンポーネントの上面冷却（TSC: Top Side Cooling）パッケージについて。 TSCパッケ…
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💡 アウトフェージング増幅器の設計効率化 アウトフェージング増幅器（Outphasing Amplifie…
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💡 MMF 940nm 50GHz EO OE の解説 「MMF 940nm 50GHz EO OE」は、光通信、特にデータセンター内の高速…
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- 200 Gbps/レーン SerDes プリント基板 FR4
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📉 200 Gbps/レーン SerDes と プリント基板 (FR4) の課題 200 Gbps/レーンという超高速信号を、一般的…
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- イッテルビウム金属（Yb）-回転式スパッタリングターゲット
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イッテルビウム金属（Yb）を回転式（ロータリー）ターゲットとして使用する主な目的は、薄膜形成技術で…
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- HB-CDM 波長範囲
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HB-CDM（High-Bandwidth Coherent Driver Modulator：広帯域コヒーレントドライバ変調器）の波長範囲につ…
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「次世代ヘテロジニアス・インテグレーション・プラットフォーム（次世代HIプラットフォーム）」とは、…
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「チップ・トゥ・ウエハー（Chip-to-Wafer: C2W）」のCu-Cuハイブリッドボンディングは、現在のAI半導体…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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Ceyear 3674 VNAによる「ミキサ、周波数変換デバイス」では下記パラメータの測定が可能です。 ・Amplitud…
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新動向とロードマップを整理しました。 202…
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- レーダー側の反撃技術（ECCM）
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ECM（攻撃）が進化すれば、レーダー側もそれを見破るためのECCM (Electronic Counter-Countermeasures)…
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「光子 ＋ 物質の励起 ＝ ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
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- 二次元物質「日本企業の強み」
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二次元物質のヘテロ構造（ツイストロニクス）の分野において、日本企業は**「世界が頼らざるを得ないキ…
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Q/Vバンド（40/50GHz）において、GaN増幅器から最大出力を引き出しつつ、通信品質（信号のきれいさ）を…
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SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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