-
- Snapdragon 8 Gen 4 vs. Dimensity 9400
-
QualcommのSnapdragon 8 Gen 4（またはSnapdragon 8 Elite）とMediaTekのDimensity 9400は、2025年のフ…
-
- 高電圧に耐えるように設計されたコイル
-
高電圧に耐えるように設計されたコイルは、主に高電圧リアクトルや高電圧トランス（変圧器）として、高…
-
- AI デジタル制御による超広帯域GaN増幅器
-
AIデジタル制御による超広帯域GaN増幅器の研究は、次世代の無線通信システム（5G基地局、6G、衛星通信、…
-
- 802.11 be(Wi-Fi 7)とは
-
802.11beは、通称「Wi-Fi 7」と呼ばれる次世代の無線LAN通信規格です。 IEEE（Institute of Electrical…
-
- ノイズソース ENR値が15 dBと5 dBの違い
-
ノイズソースのENR（Excess Noise Ratio: 過剰雑音比）は、そのノイズソースがON状態（ホット状態）のと…
-
- Wi-Fi 7の恩恵を受けているスマホ動向
-
Wi-Fi 7の恩恵（特に4096-QAMの安定と低消費電力）を最も強く受けているのは、2024年後半から2025年にか…
-
- 三菱電機モビリティ USB4
-
三菱電機モビリティ（2024年4月に三菱電機の自動車機器事業が分社化して発足）におけるUSB4への取り組み…
-
- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
-
ローム（ROHM）などのパワーデバイス（特にSiC MOSFETやIGBT）における「シングルトランジスタ駆動」と…
-
- Intelの製造プロセス（18A/14A）
-
Intelの製造プロセスにおける**18A（1.8nmクラス）と14A（1.4nmクラス）**は、単なる微細化のステップで…
-
- 第8世代IGBT EVの航続距離
-
EV（電気自動車）の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
-
- BLE SoCを搭載した「技適取得済みモジュール」
-
SoC単体ではなく、すでにアンテナや受動部品が実装され、日本国内の「技適」を取得済みのモジュールを紹…
-
- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ（NVM）今後は？
-
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は、1980年代の普及開始から約40年が経…
-
- レーダー側の反撃技術（ECCM）
-
ECM（攻撃）が進化すれば、レーダー側もそれを見破るためのECCM (Electronic Counter-Countermeasures)…
-
- 光子（Photon）＋ 物質の励起（Excitation）＝ ポラリトン
-
「光子 ＋ 物質の励起 ＝ ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
-
- 二次元物質「日本企業の強み」
-
二次元物質のヘテロ構造（ツイストロニクス）の分野において、日本企業は**「世界が頼らざるを得ないキ…
-
- Q/Vバンドにおける**デジタル・プリディストーション（DPD）**…
-
Q/Vバンド（40/50GHz）において、GaN増幅器から最大出力を引き出しつつ、通信品質（信号のきれいさ）を…
-
- SiCやGaNは寄生容量 Cossが小さい
-
SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
-
- 「アクティブ・バランサ」技術
-
「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
-
- VNA 誤差補正のアプリーションノートを紹介
-
VNAの誤差補正やディエンベディングはRF計測の「定石」であり、主要な測定器メーカーは非常に優れた教育…
T&M
即納ストア
