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- 測定精度仕様（Accuracy Specification）とは
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測定精度仕様（Accuracy Specification）とは ～測定値が真の値とどれだけ一致しているかを示す仕様～ …
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- PSE（電気用品安全法）
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✅ 基本原則：計測器はPSE（電気用品安全法）対象外が基本 PSEは「一般家庭用電気製品の安全確保」…
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- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
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プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI（磁気共鳴画像法）の分野において、主に超軽量でフレキ…
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- AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
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AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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- 六フッ化タングステン：半導体製造における「隠れたヒーロー」
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六フッ化タングステン（Tungsten Hexafluoride, WF6）は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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- 携帯周波数帯域について
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携帯電話の周波数帯域は、1GHz以下のサブギガ帯（プラチナバンドなど）の他に、主に中周波数帯と高周波…
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- 電力増幅器の高効率・広帯域化技術
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電力増幅器（PA）の高効率化と広帯域化を両立させる技術は、無線通信やレーダーなどの分野で非常に重要…
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- Huaweiの1.6T市場における立ち位置
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HuaweiとQSFP-DD1600を含む1.6T技術への取り組みについてご説明します。 1. Huaweiの1.6T市場におけ…
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- メンブレン化合物半導体光デバイス
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メンブレン化合物半導体光デバイスは、シリコン（Si）基板上に、インジウムリン（InP）系などの化合物半…
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- NF測定 ノイズソース
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NF（雑音指数: Noise Figure）測定におけるノイズソースは、測定対象デバイス（DUT: Device Under Test…
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- Wi-Fi RFFE（Radio Frequency Front-End）Non-linear PA
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Wi-Fi 7（IEEE 802.11be）などの最新世代において、「非線形パワーアンプ（Non-linear PA）」の活用は、…
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- USB4を導入している企業
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USB4（および最新のUSB4 Version 2.0）は、現在、パソコンメーカーから周辺機器メーカー、さらには内部…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- 量子ビットの位相（Phase）が変化することでビットの値（0 と 1…
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量子ビットの位相（Phase）が変化することでビットの値（0 と 1）が入れ替わる現象は、波の**「干渉（In…
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- パスロス係数（Path Loss Exponent: PLE）
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原田博司教授の研究グループが105 GHz帯（サブテラヘルツ帯）で行った測定において、**パスロス係数（Pa…
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- DVB-S2Xの「スループット（伝送効率）」が具体的にどう変化する…
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大気ゆらぎ（ガンマ・ガンマ分布）とポインティングロス（ベックマン分布）が複合する環境下で、DVB-S2X…
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- LoRa ー Wi-Fiゲートウェイ
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LoRa（Long Range）無線とWi-Fiの変換、つまりLoRa-Wi-Fiゲートウェイの構築や導入について。 この2つ…
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- PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術
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PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術は、可動部（モーターやミラー）を一切排除しながら、光の…
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