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- Wi-Fi 8 の極小 EVM ターゲットに与える影響 熱・電源ノイズ
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4x4 MIMO構成を採用する FastConnect 8800 のような統合チップにおいて、Wi-Fi 8が要求する極めて低いEV…
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- キラル対称性の破れを伴う分子性結晶の構造転移
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分子性結晶における**キラル対称性の破れ（Chiral Symmetry Breaking）**を伴う構造転移は、物質科学と…
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- CC-Link IE TSN
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CC-Link IE TSNは「リアルタイム性」と「情報系ネットワークの統合」を担う重要な産業用オープンネット…
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- MotorComm のチップを搭載したボードの IEEE 802.3ch 準拠性試験
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MotorComm（裕太微電子）の YT8011 などを搭載した評価ボードで IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) の準拠性…
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- VNA RF-CV法
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VNA（ベクトル・ネットワーク・アナライザ）を用いたRF-CV法は、通常のLCRメータ（数kHz〜MHz）では見る…
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- Bias-Tの挿入位置、VNA側か、DUT側か？ Bias-Tの付いていないVNA
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DCバイアスティー（Bias-T）を挿入する位置は、「可能な限りDUT（デバイス）に近い場所」に配置するのが…
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- 携帯電話の上空利用サービス
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携帯電話の上空利用（上空におけるモバイル通信）は、ドローン、空飛ぶクルマ（eVTOL）、ヘリコプター、…
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- PAM4, FLIT, FEC
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PCIe 6.0 で採用された PAM4、FLIT、FEC の3つは、信号の高速化と信頼性を両立させるための「三種の神器…
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- 共振コンバータ（LLC / CLLC）第5世代SiC
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第5世代SiC MOSFETの登場により、LLC共振コンバータや、その双方向版であるCLLC共振コンバータの性能は…
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- 選択的エピタキシャル成長
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選択的エピタキシャル成長（SEG: Selective Epitaxial Growth）は、シリコン基板などの特定の領域にのみ…
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- Zynq UltraScale+ RFSoC
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Zynq UltraScale+ RFSoC（特に評価されているAvnet XRFシリーズなど）は、ミキサーファーストアーキテク…
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- USB Type-Cケーブル E-Marker
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USB Type-CケーブルにおけるIDチップ（一般的にE-Marker：Electronic Markerと呼ばれます）の搭載につい…
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- 10kV超級の超高耐圧SiC MOSFET次世代新幹線 リニア新幹線での…
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10kV〜18kV級の超高耐圧SiC MOSFETは、次世代新幹線（ALFA-X等）やリニア中央新幹線において、「電力変…
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- i-THOP® Araki, Shinko
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近年注目を集める2.5次元（2.5D）や3次元（3D）の先進パッケージ（アドバンスド・パッケージング）、お…
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- SparkLink SIGLENT 計測器
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SIGLENTの計測器（VNAやスペクトラムアナライザ）を使ってSparkLink（NearLink）デバイスやモジュールを…
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- JASO D001規格
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JASO D001（自動車電子機器の環境試験方法通則）は、日本の自動車技術会（JSAE）が制定していた、車載電…
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- 保護中: 欧州計測器メーカーと米計測器メーカーのスペアナ筐体…
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- スタート周波数だけロックし、後はアナログスイープする
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「スタート周波数（あるいは各ステップ）でPLLをロックさせた後、ロックを外す（またはVCOの制御電圧に…
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