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- RINGプロジェクト
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「RINGプロジェクト」とは、経済産業省が中心となって立ち上げた「全国ロボット・地域連携ネットワーク…
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- 800ZR/ZR+モジュール
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800ZR/ZR+モジュールは、コヒーレント光通信技術を採用した、次世代の超高速プラガブル光トランシーバモ…
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- デマンドレスポンス(DR)VPP
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デマンドレスポンス(DR: Demand Response)について、詳しくご説明します。 DRは、電力の需要側(消費…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- SiC 超低VF 低Rds(on)
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SiC(炭化ケイ素)が持つ超低VF(順方向電圧)と低RDS(on)(オン抵抗)は、シリコン(Si)半導体に対す…
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- Doherty増幅器 包絡線追跡方式(Envelope Tracking, ET)
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Doherty増幅器と包絡線追跡方式(Envelope Tracking, ET)は、どちらも無線通信において、電力増幅器(P…
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- 400G SR4 800G
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データセンター内の高速短距離通信における400Gおよび800Gの接続規格は、主にIEEE 802.3(イーサネット…
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- Panasonic Megtron 7
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⚡ Panasonic Megtron 7 の概要 Panasonic Megtron 7 は、パナソニックの電子材料部門(パナソニック・…
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- 透明フレキシブル電波反射フィルム
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透明フレキシブル電波反射フィルムについてですね。これは、次世代通信(5G/6Gなど)の電波環境を改善す…
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- 主要企業の「次世代HI」戦略
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション(HI)の進化は、単なる性能向上を超え、半導体の構造そのも…
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- チップレット搭載FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)
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チップレット技術を用いた**FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)**は、現代の高性能プロセッサ(AIアク…
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- Intelがシリコンフォトニクス光モジュールのビジネスを売却
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Intel(インテル)は2023年後半、シリコンフォトニクス事業のうち**「プラガブル光トランシーバー(モジ…
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- HBM4(第6世代広帯域メモリ)
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HBM4(第6世代広帯域メモリ)は、AIやハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)の爆発的な需要に応…
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- 分子スピン 量子デバイス アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)系…
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分子スピンや量子デバイスの実装において、**アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)**系材料は二大巨頭です…
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- IEEE 802.15.4 SUN FSK Evaluation
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、5G向けのUTW-OFDMだけでなく、IEEE 802.15.4 SUN (Smart Util…
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- マッハ・ツェンダー干渉計を用いたユニタリ行列の構成方法
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シリコンフォトニクスにおいて、マッハ・ツェンダー干渉計(MZI)を用いて任意のユニタリ行列を構成する…
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- 「VNA価格破壊」ADL5961
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「VNA価格破壊」という言葉は、まさにADL5961が登場した背景を端的に表しています。 これまで数千万円…
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- 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子
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「多重共鳴熱活性化遅延蛍光(Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF)…
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- カーコム(Kerr Comb)電気光学コム(EO Comb)性能比較
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薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)において、**カーコム(Kerr Comb)と電気光学コム(EO Comb)**は、いわ…

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