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🚀 GaN電力増幅器の最新開発動向 GaN(窒化ガリウム)電力増幅器(PA: Power Amplifier)は…
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- EHT (Extremely High Throughput)
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**EHT (Extremely High Throughput)**は、**Wi-Fi 7(IEEE 802.11be)**の正式な技術名称であり、「超高…
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- LNAのNFと線形性(IP3)のトレードオフ
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LNA(低雑音増幅器)の設計における**NF(雑音指数)と線形性(主にIP3: 三次相互変調点)のトレードオ…
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SoitecのRF-SOI基板における**Digital Noise Reduction(デジタル・ノイズ・リダクション)**とは、デジ…
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- パワースピン株式会社の挑戦
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パワースピン株式会社(PowerSpin Inc.)は、東北大学発のスタートアップとして、次世代の半導体メモリ…
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- 高エネルギーイオン注入によるSiCパワーデバイス劣化抑制
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SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入を用いた劣化抑制技術は、主に**「バイ…
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三菱電機が2025年1月に発表し、2月にサンプル提供を開始した最新の**「第8世代IGBT」**は、従来の第7世…
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- グラフェンを用いたプラズモン量子回路、ナノ構造製造
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グラフェンを用いたプラズモン量子回路のような、ナノメートル($10^{-9}$ m)単位の精度が求められる構…
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- デジタルツインを使って具体的にどうやって通信を安定させるのか
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デジタルツインを用いた通信の安定化は、これまでの「電波が切れてから対処する」というリアクティブ(…
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- 汎用型量子コンピューター(FTQC)
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汎用型量子コンピューター、通称 FTQC(Fault-Tolerant Quantum Computer)は、量子計算の最大の弱点で…
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- LoRa 半径500m以内での活用
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半径500m以内であれば、LoRaの能力としてはかなり余裕がある距離です。 農地でも工場でも、障害物をあ…
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サファイア基板を用いたAlGaN系深紫外レーザーダイオード(UV-LD)における318 nmでの室温連続波(CW)…
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- インジウムリン(InP) 格子定数やバンドギャップ
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インジウムリン(InP)の物理的特性、特に格子定数とバンドギャップは、この材料が光通信の「王者」と呼…
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全ディジタル位相雑音計測において、ADCの**アパーチャ・ジッタ(Aperture Jitter)**は、アナログ方式…
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- MAB ポート間の干渉をデカップリング(非干渉化)する制御
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MAB(マルチ・アクティブ・ブリッジ)型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
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- 低電力ニューロモルフィック実装
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「低電力ニューロモルフィック実装」は、現在のAIが直面している「電力の壁」を打破する鍵として、非常…
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Python(PyTorchやTensorFlow)で作成したAIモデルを、FPGAで動作するHDL(Verilog/VHDL)やハードウェ…
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- ゼロ電圧スイッチング(Zero-Voltage Switching, ZVS)整流回路
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ゼロ電圧スイッチング(ZVS)とは **ゼロ電圧スイッチング(ZVS)**は、スイッチング素子(MOSFETやIGB…
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- Wi-Fi 8 (802.11bn)
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次世代の無線規格である Wi-Fi 8 (IEEE 802.11bn) について、技術的な観点からまとめました。 Wi-Fi…

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