-
- MOSキャパシタ(MOS Capacitor)とは
-
MOSキャパシタ(MOS Capacitor)とは ~金属‐酸化膜‐半導体構造を持つ基本的なC–V測定用デバイス~ ■ …
-
- インパルス巻線試験器の入門⑤-測定設定と試験ステップの構成(S…
-
― 測定条件の詳細設定と多ステップ制御の実践ガイド ― 本章では、[SETUP]メニューにおける測定条件、試験…
-
- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
-
この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
-
- 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術
-
🚗 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術の技術分析 SerDes (Serializer/Deserializer)…
-
- AI 近傍磁界情報の機械学習を用いたPCB上のノイズ源推定
-
近傍磁界情報とAI、 機械学習を用いたPCB上のノイズ源推定は、電子機器の電磁両立性 (EMC) 対策において…
-
- RoCEv2: IP層の上で動作
-
RoCEv2 (RDMA over Converged Ethernet version 2) は、IP層(インターネット層)の上で動作するように…
-
- 光電融合デバイスのロードマップ
-
光電融合デバイスは、NTTが推進するIOWN(Innovative Optical and Wireless Network)構想の中核をなす…
-
- NF測定 100MHz以下のDUT(LNAなど)の測定にノイズソースの出力…
-
18 GHzのノイズソースの出力に、400 MHzの**LPF(ローパスフィルタ)**を使用する利点は、主に以下の二…
-
- RF-SOI 基板とRFeSI(RF enhanced Signal Integrity) 技術
-
Wi-Fi 7の「4096-QAM」を実現するために、ハードウェアレベルで不可欠となっているのが RF-SOI 基板と、…
-
- 車載向けに特化したUSB4の耐久性基準
-
車載環境は、家庭やオフィスとは比較にならないほど過酷です。そのため、車載向けUSB4デバイスやコネク…
-
- HAMRの次、将来技術HDMR(ドット記録)
-
HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR(熱補助磁気記録)**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
-
- レーザー励起電子加熱による加工の応用(石英ガラス、サファイ…
-
透明材料の中でも、石英ガラスとサファイアは、その物理的性質(バンドギャップ、硬度、熱伝導率など)…
-
- iPhoneにおけるメモリ(DRAM)とストレージ(NAND)の動向
-
2026年現在、iPhoneにおけるメモリ(DRAM)とストレージ(NAND)の動向は、「Apple Intelligence(AI)…
-
- プラズモン波束を用いた高忠実度な量子回路
-
プラズモン波束(Plasmon Wave Packets)を用いた量子回路は、光子と電子の両方の利点を組み合わせた次…
-
- Wi-SUN FAN認証デバイス
-
Wi-SUN FAN(Field Area Network)認証デバイスは、スマートシティや次世代スマートメーター(AMI 2.0)…
-
- ベンゼン環を組み替えるのがなぜ難しいのか
-
ベンゼン環の組み替え(骨格編集)が「化学者の悲願」と言われるほど難しい理由は、一言でいうとベンゼ…
-
- ADL5961 アンテナの調整、フィルター特性
-
ADL5961やLiteVNAを使って「アンテナ調整」や「フィルタ特性」を測定する場合、これまでの高価なベンチ…
-
- Y6誘導体などの化学構造
-
有機太陽電池(OPV)の歴史を塗り替えた革新的な分子、**Y6(BTP-4F)**とその誘導体について解説します…

T&M
即納ストア