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- 1GHz以下の携帯周波数帯域（サブギガ帯）
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📶 1GHz以下の携帯周波数帯域（サブギガ帯）の重要性 1GHz以下の周波数帯域、いわゆる**サ…
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- リフレクトアレーアンテナを用いたビームフォーミング技術
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リフレクトアレーアンテナを用いたビームフォーミング技術は、高利得アンテナと電気的なビーム制御を低…
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- メンブレン化合物半導体光デバイス
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メンブレン化合物半導体光デバイスは、シリコン（Si）基板上に、インジウムリン（InP）系などの化合物半…
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- OptiX OSN 9800
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華為技術（HUAWEI）がコヒーレント変調器やその関連技術を搭載している主要な光伝送システムは、主に以…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI（Fully Depleted Silicon On Insulator）は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
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IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
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- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
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テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画…
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DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…
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- コイン電池で駆動する低電圧な小型BLE SoC
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低電圧・コイン電池（CR2032など）での駆動を前提とした小型BLE（Bluetooth Low Energy）SoCは、現在のI…
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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- レンジ・ゲート・プルオフ (RGPO)
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「レンジ・ゲート・プルオフ（RGPO）」は、DRFM技術を駆使した**「電子的なマジック」**の極致とも言え…
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- vdW積層材料 「光」を閉じ込める（ポラリトン）
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電子を1層に閉じ込める技術のさらに先にあるのが、**「光」を物質の表面に閉じ込める「ポラリトン（Pola…
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- 二次元物質のヘテロ構造 実用化（大面積化）の課題
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二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…
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- 複数のGaNチップを合成する際の電力合成器（Combiner）のロス対…
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Q/Vバンド（40/50GHz）において、複数のGaN MMICからの出力を束ねて高出力を得る「電力合成（Power Comb…
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- SiCやGaNなど「スイッチング周波数の具体的な上限設定」
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SiC（シリコンカーバイド）やGaN（ガリウムナイトライド）といったワイドバンドギャップ（WBG）半導体の…
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- 単相3線式連系インバータの自立運転時中性点電圧バランス特性
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単相3線式（単3）連系インバータが停電時などに「自立運転」を行う際、最も大きな課題となるのが中性点…
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- シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）
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「シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）」について解説します。 この賞は、日本…
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- VNA 2cmの変換アダプタ(N-SMAなど)を使用する場合の誤差 4.5GHz
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4.5 GHzで2cmのアダプタとなると、RFの観点からは「無視できない領域」に突入しています。「ただのコネ…
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- Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）
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**Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…
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