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  • 5G FR3 6Gを見据えた技術トレンド
    5G FR3(7.125 GHz - 24.25 GHz)およびその先の6Gを見据えた技術トレンドは、単なる周波数の拡張にとど…
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  • ビデオ帯域幅とは
    検波段以降のビデオ帯域にある雑音成分などを平均化するために用いるローパス・フィルタ
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  • 増幅とは
    信号を1つのポイントから他のポイントへ送信する際に、信号の振幅を増大すること
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  • Q&A(OWON SDS1022のSelf Cal)
    質問: SDS1022のオシロスコープの"Self Cal"は、機器の調整に当たる操作を行うのでしょうか? または、ゼ…
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  • 主なRF高周波概念
    電磁波 電磁波は、電場と磁場が直交する形で空間を伝播する波であり、光速(約299,792,458 m/s)で進むエ…
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  • オシロスコープの応用場面とおすすめ製品
    オシロスコープの応用場面と用途別おすすめ製品【SIGLENT・OWON・Micsig対応】 オシロスコープは、電子信…
    • あ行
  • オシロスコープ サンプリングレート
    オシロスコープのサンプリングレートとは?   サンプリングレート(Sampling Rate)とは、オシロス…
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  • VNA(ベクトルネットワークアナライザ)の使い方
      VNA(ベクトルネットワークアナライザ)の使い方   VNA(Vector Network Analyzer/ベクト…
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  • シグナル・ジェネレータとは?
    シグナル・ジェネレータとは? シグナル・ジェネレータ(Signal Generator)とは、電子回路や無線通信機…
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  • ビルトイン電流ソースとは
    ビルトイン電流ソースとは ~測定機器に内蔵された定電流供給機能~ ■ 定義 ビルトイン電流ソース(B…
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  • インパルス巻線試験機とは
    インパルス巻線試験機とは?―コイル・モーターの品質検査に不可欠な測定機器 インパルス巻線試験機(Impu…
    • あ行
  • MOSキャパシタ(MOS Capacitor)とは
    MOSキャパシタ(MOS Capacitor)とは ~金属‐酸化膜‐半導体構造を持つ基本的なC–V測定用デバイス~ ■ …
    • SEM
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  • インパルス巻線試験器の入門⑤-測定設定と試験ステップの構成(S…
    ― 測定条件の詳細設定と多ステップ制御の実践ガイド ― 本章では、[SETUP]メニューにおける測定条件、試験…
    • あ行
  • SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
    この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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  • 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術
      🚗 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術の技術分析   SerDes (Serializer/Deserializer)…
    • Scope
  • 半侵襲性BCI
    半侵襲性BCI(Partially Invasive BCI、または低侵襲型BCI/Minimally Invasive BCI)とは、ブレイン・コ…
    • Scope
    • SEM
  • AI 近傍磁界情報の機械学習を用いたPCB上のノイズ源推定
    近傍磁界情報とAI、 機械学習を用いたPCB上のノイズ源推定は、電子機器の電磁両立性 (EMC) 対策において…
    • SA
  • 水電解装置
    **水電解装置(エレクトロライザー)**は、水に電気エネルギーを流すことで水を分解し、**水素(H2)と…
    • SEM
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  • RoCEv2: IP層の上で動作
    RoCEv2 (RDMA over Converged Ethernet version 2) は、IP層(インターネット層)の上で動作するように…
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  • 光電融合デバイスのロードマップ
    光電融合デバイスは、NTTが推進するIOWN(Innovative Optical and Wireless Network)構想の中核をなす…
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