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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- Kamikaze III
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「Kamikaze III」ASICは、株式会社TRIPLE-1によって開発された、**ビットコインマイニング（採掘）および…
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- ミリ波帯高利得ビームフォーミングを実現する誘電体アンテナ
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ミリ波帯で高利得ビームフォーミングを実現する誘電体アンテナは、主に誘電体ロッドアンテナ技術を基盤…
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- MMF 1060nm モード分散最小
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💡 MMF 1060nm 「MMF 1060nm」は、光ファイバー通信、特に短距離・大容量伝送のための新しい技術分野…
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- (Hakusan)のCPOやOBO
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株式会社白山は、CPO (Co-Packaged Optics) や OBO (On-Board Optics) のような次世代の光電融合技術を…
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- DVB-S2 32APSK 日本
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DVB-S2の32APSKは、主に日本の業務用衛星通信や高度衛星放送の分野で利用の検討・採用が進められてきま…
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- LPWA技術（LoRaWANなど）
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Wi-Fi HaLow™と同様に、IoTの長距離・低消費電力通信を担う「LPWA (Low Power Wide Area)」技術の中で、…
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- USB4 動的な帯域管理の仕組み
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USB4における**動的な帯域管理（Dynamic Bandwidth Allocation）**は、前述の「トンネリング」技術を土…
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- Project Silicaの光学ガラスストレージの読み書きの仕組み
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Microsoftが主導する「Project Silica」のような光学ガラスストレージは、石英ガラスの内部にレーザーで…
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- MgO-based magnetic tunnel junctions とは
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) とは、スピン（電子の磁気的性質）を利用した次世代デ…
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- 次世代半導体技術（Emerging semiconductor technologies）
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2026年現在、半導体技術は「生成AIの爆発的普及」と「微細化の物理的限界」という2つの大きな転換点に直…
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- 第7世代以降のIGBTの具体的な特徴
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第7世代以降のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が、それまでの世代と何が違い、どのような特…
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- 量子中継の仕組み「増幅」
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量子回路において「増幅」は非常にデリケートな問題です。通常の電気信号のように単純に増幅器（アンプ…
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- VHF Band for IoT and V2X
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原田博司教授の研究グループ（京都大学）による、IEEE Open Journal of Vehicular Technology (2023年9…
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- 大気ゆらぎをシミュレーションするためのチャネルモデル（対数…
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地上-衛星間光通信（FSO）における大気ゆらぎは、ランダムに変化する屈折率の不均一性によって引き起こ…
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- ADL5961から出力されるデータの信号処理方法
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ADL5961から出力されるデータは、最終的にはデジタル信号としてFPGAやCPUに渡されますが、その間には**…
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- PCSELの開発 社会実装
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PCSELの開発は、京都大学の野田進教授を中心とした産学連携プロジェクトにより、日本企業が世界を大きく…
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- 半導体CNT用いた高感度赤外線センサー
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CNT（カーボンナノチューブ）を用いた赤外線センサーは、次世代の光子工学において非常に注目されている…
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- ディジタルダウンコンバージョンを使用しない全ディジタル位相…
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ディジタルダウンコンバージョン（DDC）を使用しない全ディジタル位相雑音計測は、近年の高速ADC（アナ…
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