GLOSSARY用語集

• 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）

  ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…

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• DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画…

  DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…

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• コイン電池で駆動する低電圧な小型BLE SoC

  低電圧・コイン電池（CR2032など）での駆動を前提とした小型BLE（Bluetooth Low Energy）SoCは、現在のI…

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• MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット

  QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…

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• レンジ・ゲート・プルオフ (RGPO)

  「レンジ・ゲート・プルオフ（RGPO）」は、DRFM技術を駆使した**「電子的なマジック」**の極致とも言え…

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• vdW積層材料 「光」を閉じ込める（ポラリトン）

  電子を1層に閉じ込める技術のさらに先にあるのが、**「光」を物質の表面に閉じ込める「ポラリトン（Pola…

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• 二次元物質のヘテロ構造 実用化（大面積化）の課題

  二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…

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• 複数のGaNチップを合成する際の電力合成器（Combiner）のロス対…

  Q/Vバンド（40/50GHz）において、複数のGaN MMICからの出力を束ねて高出力を得る「電力合成（Power Comb…

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• SiCやGaNなど「スイッチング周波数の具体的な上限設定」

  SiC（シリコンカーバイド）やGaN（ガリウムナイトライド）といったワイドバンドギャップ（WBG）半導体の…

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• 単相3線式連系インバータの自立運転時中性点電圧バランス特性

  単相3線式（単3）連系インバータが停電時などに「自立運転」を行う際、最も大きな課題となるのが中性点…

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• シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）

  「シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）」について解説します。 この賞は、日本…

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• VNA　2cmの変換アダプタ(N-SMAなど)を使用する場合の誤差 4.5GHz

  4.5 GHzで2cmのアダプタとなると、RFの観点からは「無視できない領域」に突入しています。「ただのコネ…

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• Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）

  **Junction-side Cooling（ジャンクション側冷却）**は、パワー半導体（SiC、GaN、またはLED）のチップ…

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• Wi-Fi 8 の極小 EVM ターゲットに与える影響　熱・電源ノイズ

  4x4 MIMO構成を採用する FastConnect 8800 のような統合チップにおいて、Wi-Fi 8が要求する極めて低いEV…

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• キラル対称性の破れを伴う分子性結晶の構造転移

  分子性結晶における**キラル対称性の破れ（Chiral Symmetry Breaking）**を伴う構造転移は、物質科学と…

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• CC-Link IE TSN

  CC-Link IE TSNは「リアルタイム性」と「情報系ネットワークの統合」を担う重要な産業用オープンネット…

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• MotorComm のチップを搭載したボードの IEEE 802.3ch 準拠性試験

  MotorComm（裕太微電子）の YT8011 などを搭載した評価ボードで IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) の準拠性…

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• VNA　RF-CV法

  VNA（ベクトル・ネットワーク・アナライザ）を用いたRF-CV法は、通常のLCRメータ（数kHz〜MHz）では見る…

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• Bias-Tの挿入位置、VNA側か、DUT側か？ Bias-Tの付いていないVNA

  DCバイアスティー（Bias-T）を挿入する位置は、「可能な限りDUT（デバイス）に近い場所」に配置するのが…

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• 携帯電話の上空利用サービス

  携帯電話の上空利用（上空におけるモバイル通信）は、ドローン、空飛ぶクルマ（eVTOL）、ヘリコプター、…

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