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- CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）構造 (TEG)
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**CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）**は、半導体プロセスの評価において、特定のコンタクト（接触…
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- Broadcomの完全統合型ホール電流センサー
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Broadcomの「完全統合型ホール電流センサー（Fully Integrated Hall Effect Current Sensor）」は、主に…
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- ドローによるESM Validation
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ドローン（UAV）を用いた**ESM Validation（電子戦支援策の検証）**は、現代の電子戦において非常にコス…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）、応用物理学会（JSAP）での発表
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2026年2月現在**応用物理学会（JSAP）**は、ペロブスカイト太陽電池（PSC）の研究者や企業担当者が一堂…
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- カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
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カルコゲナイド系化合物（硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物）を用いた光触媒および光電極技術…
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- 水中ドローン（AUV/ROV）による海底資源調査やインフラ点検
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水中ドローン（AUV/ROV）を用いた海底資源調査やインフラ点検は、人間が潜水できない深海や危険な環境に…
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- 変流器を用いた双方向絶縁型多相DC-DCコンバータ
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変流器（カレントトランスフォーマ：CT）を用いた双方向絶縁型多相DC-DCコンバータは、高出力密度と高効…
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- ANNベースの正弦波変調低速センサレス制御
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「ANN（人工ニューラルネットワーク）ベースの正弦波変調低速センサレス制御」は、モータ制御における非…
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- Massive MIMO基地局
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超多素子アンテナ（Massive MIMO）の基地局は、5Gネットワークの心臓部です。2026年現在、この技術は単…
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- LCRメータで電池内部抵抗測定
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LCRメータを使用して電池の内部抵抗を測ることは技術的に可能ですが、絶対にやってはいけないことがあり…
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- デジタル・ダウン・コンバータ（DDC）
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デジタル・ダウン・コンバータ（DDC）は、次世代の広帯域通信（5G/6G）、レーダー、電子戦システム向け…
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- 3GPP Release 19 VNAやVSGを用いた評価手法の変化
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3GPP Release 19で「再生ペイロード（Regenerative Payload）」が本格導入されたことに伴い、VNA（ベク…
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- 磁気メモリやセンサーへの応用例 キラリティ（不斉）とCISS効果
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キラリティ（不斉）とCISS効果を磁気メモリやセンサーに応用する研究は、従来の重金属や強磁性体に依存…
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- DGX Spark NVIDIA
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NVIDIA DGX Sparkは、2025年後半から2026年初頭にかけて登場した、Blackwellアーキテクチャを採用した世…
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- Wi-SUN マルチホップ・プラットフォーム
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Wi-SUN FAN 1.1が「マルチホップ・プラットフォーム」と呼ばれる理由は、単にデータを中継するだけでな…
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- IFBWの最大が1MHz以下のVNA
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USBタイプのVNAなどIFBW（中間周波帯域幅）の最大値が1MHz以下(300kHzや700kHzなど)に制限されている理…
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- 5G FR3 6Gを見据えた技術トレンド
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5G FR3（7.125 GHz - 24.25 GHz）およびその先の6Gを見据えた技術トレンドは、単なる周波数の拡張にとど…
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- 6Gの期待 産業への影響
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6Gの「超低遅延（1ミリ秒以下、あるいは0.1ミリ秒レベル）」や「多接続（1平方キロメートルあたり1,000…
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- 動的電圧周波数制御システム（DVFS）
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動的電圧周波数制御（DVFS: Dynamic Voltage and Frequency Scaling） DVFSは、プロセッサ（CPU、GPU、…
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