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GaN/SiCデバイスのC–V測定とは ~次世代パワーデバイスの電気特性を非破壊で評価する基本手法~ ■ 定…
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パワーMOSFET、SiC、GaNなどの半導体デバイスにおいて、Ciss、Coss、Crss、Rgは寄生パラメータと呼ばれ…
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- エレクトロマイグレーション 試験方法 電圧監視法
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