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- ブレークダウンをSMUで測る
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半導体デバイスにおける「ブレークダウン」を、SMU（Source Measure Unit）を使用して測定・評価する方…
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- GaN/SiCデバイスのC–V測定とは
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GaN/SiCデバイスのC–V測定とは ～次世代パワーデバイスの電気特性を非破壊で評価する基本手法～ ■ 定…
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- GaN パルスドId-Vg測定 SMU
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GaN（窒化ガリウム）デバイスの評価において、パルスド Id−Vg 測定は非常に重要な手法です。これは、…
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- 寄生パラメータ Ciss、Coss、Crss、Rg
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パワーMOSFET、SiC、GaNなどの半導体デバイスにおいて、Ciss、Coss、Crss、Rgは寄生パラメータと呼ばれ…
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- MOSFETのVthの測定方法（SMUを使用して）
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MOSFETのしきい値電圧（Vth）をSMU（Source Measurement Unit）を用いて測定する方法は、MOSFETの特性を…
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- MOSFET オン抵抗測定方法
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MOSFETのオン抵抗（RDS(on)）をSMU（Source-Measure Unit）で測定する方法について解説します。 …
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- 半導体CV特性アナライザとは？
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半導体CV特性アナライザとは？ 〜容量-電圧特性の測定でデバイス構造を可視化〜 CV特性とは何か？ CV特…
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- チップレット搭載FC-BGA基板
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チップレットを搭載したFC-BGA基板は、高性能コンピューティング（HPC）やAI処理チップを実現するための…
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- チップレット先端半導体の車載化研究開発
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チップレット（Chiplet）技術の車載化は、自動運転や電動化の進化を支える車載ハイパフォーマンス・コン…
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- 複数のナノシートチャネル重ねたナノシートFET
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複数のナノシートチャネルを重ねたナノシートFET（Nanosheet FET）は、GAAFET（Gate-All-Around FET、全…
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- プリンテッド（プリンタブル）エレクトロニクスの技術
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プリンテッド（プリンタブル）エレクトロニクスとは、従来の半導体製造技術（フォトリソグラフィなど）…
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- ソースメジャーユニット（SMU）の使い方ガイド
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ソースメジャーユニット（SMU）の使い方ガイド 〜基本操作からアプリケーション例まで〜 SMUとは？その…
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- PAIーPositive Action Initiative
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「The POSITIVE ACTION Initiative」は、環境省が推進する**「デコ活」（脱炭素につながる新しい豊かな…
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- 基板浮遊効果の影響 ジャンクションレス構造
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半導体デバイスの微細化に伴い、特にSOI（Silicon-on-Insulator）技術や高集積DRAMセルにおいて、基板浮…
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- 深掘りエッチング Deep RIE
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深掘りエッチング (Deep Reactive-Ion Etching: DRIE) は、半導体やMEMS（微小電気機械システム）の製造…
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- Digital Lithography Technology (DLT)とは
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Digital Lithography Technology (DLT)（デジタル・リソグラフィ技術）とは、主に半導体パッケージ基板…
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- iPhone 17 Pro/iPhone Airの熱設計
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iPhone 17 ProとiPhone Airの熱設計は、次世代の高性能A19 Proチップから発生する熱を効率的に管理し、…
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NMOSとPMOSを重ねたトランジスタ構造は、CFET (Complementary FET、相補型FET)と呼ばれ、次世代の半導体…
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- 電子部品技術ロードマップ
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第11版 電子部品技術ロードマップは、電子情報技術産業協会（JEITA）の電子部品部会／部品技術ロードマ…
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- 短チャネル効果 サブスレッショルドリーク
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短チャネル効果（Short-Channel Effect: SCE）とサブスレッショルドリーク（Subthreshold Leakage）は、…