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- 寄生パラメータ Ciss、Coss、Crss、Rg
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パワーMOSFET、SiC、GaNなどの半導体デバイスにおいて、Ciss、Coss、Crss、Rgは寄生パラメータと呼ばれ…
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- MOSFETのVthの測定方法（SMUを使用して）
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MOSFETのしきい値電圧（Vth）をSMU（Source Measurement Unit）を用いて測定する方法は、MOSFETの特性を…
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- MOSFET オン抵抗測定方法
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MOSFETのオン抵抗（RDS(on)）をSMU（Source-Measure Unit）で測定する方法について解説します。 …
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- ブレークダウンをSMUで測る
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半導体デバイスにおける「ブレークダウン」を、SMU（Source Measure Unit）を使用して測定・評価する方…
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- GaN/SiCデバイスのC–V測定とは
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GaN/SiCデバイスのC–V測定とは ～次世代パワーデバイスの電気特性を非破壊で評価する基本手法～ ■ 定…
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- GaN パルスドId-Vg測定 SMU
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GaN（窒化ガリウム）デバイスの評価において、パルスド Id−Vg 測定は非常に重要な手法です。これは、…
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- 半導体CV特性アナライザとは？
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半導体CV特性アナライザとは？ 〜容量-電圧特性の測定でデバイス構造を可視化〜 CV特性とは何か？ CV特…
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- FEOL/BEOL CMPの役割
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CMP (Chemical Mechanical Polishing / Planarization) は、半導体製造の**前工程（FEOL）と後工程（BEO…
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- 光MEMS (Optical MEMS)
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MOEMS (Micro Opto Electro Mechanical Systems)、または光MEMS (Optical MEMS)は、MEMS（微小電気機械…
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- シリコンフォトニクスとInP化合物半導体
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シリコンフォトニクスとInP（インジウムリン）化合物半導体は、**光電融合技術**において、それぞれが持…
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- SSCB（半導体遮断器）とは
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SSCB (Solid State Circuit Breaker: 半導体遮断器)は、従来の機械式サーキットブレーカー（遮断器）の…
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- TSMCの2nmプロセス
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TSMCの2nmプロセス（N2）は、次世代の半導体製造技術であり、現在開発が進められています。 TSMC…
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- ハイブリッドボンディング 裏面配線形成 CMP技術課題
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ハイブリッドボンディングと裏面配線形成（BS-PDN）は、半導体の高性能化と高集積化を支える最先端のプ…
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- 光MEMS (Optical MEMS) メーカー
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光MEMS (Optical MEMS) または MOEMS (Micro Opto Electro Mechanical Systems) デバイスのメーカーは多…
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- ３次元構造を用いた先端光チップ
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3次元構造を用いた先端光チップは、電子回路の限界を超えるための光電融合技術の究極形であり、複数のチ…
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- パワーデバイスの発展を単純なシナリオで描くことは難しい
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パワーデバイスの発展を単純なシナリオで描くことは、極めて難しいです。その理由は、技術開発が従来の…
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- スピントロニクス半導体とは
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スピントロニクス半導体とは、従来の半導体が電子の電荷（electric charge）を利用するのに対し、電子が…
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- ソースメジャーユニット（SMU）とは？
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ソースメジャーユニット（SMU）とは？ 〜高精度な電圧・電流測定とソース機能を一体化した計測器〜 ソー…
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- エッチングプラズマにおけるイオン挙動
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エッチングプラズマにおけるイオン挙動は、半導体製造で最も重要な「異方性エッチング」（垂直方向に深…
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- 車載用半導体パッケージ MEMS
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車載用半導体パッケージにおけるMEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)は、自動車の安全、快適性、自…