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- 寄生パラメータ Ciss、Coss、Crss、Rg
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パワーMOSFET、SiC、GaNなどの半導体デバイスにおいて、Ciss、Coss、Crss、Rgは寄生パラメータと呼ばれ…
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- MOSFETのVthの測定方法（SMUを使用して）
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MOSFETのしきい値電圧（Vth）をSMU（Source Measurement Unit）を用いて測定する方法は、MOSFETの特性を…
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MOSFETのオン抵抗（RDS(on)）をSMU（Source-Measure Unit）で測定する方法について解説します。 …
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半導体デバイスにおける「ブレークダウン」を、SMU（Source Measure Unit）を使用して測定・評価する方…
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GaN/SiCデバイスのC–V測定とは ～次世代パワーデバイスの電気特性を非破壊で評価する基本手法～ ■ 定…
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GaN（窒化ガリウム）デバイスの評価において、パルスド Id−Vg 測定は非常に重要な手法です。これは、…
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半導体CV特性アナライザとは？ 〜容量-電圧特性の測定でデバイス構造を可視化〜 CV特性とは何か？ CV特…
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インピーダンスアナライザとは？ 電子部品や材料の特性評価に欠かせない測定器 インピーダンスアナラ…
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「フライングカーテクノロジー（空飛ぶクルマ技術）」とは、主に電動垂直離着陸機 (eVTOL: electric Ver…
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短チャネル効果（SCE）の主要な現れであるDIBL（Drain-Induced Barrier Lowering）とサブスレッショルド…
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電力変換装置（パワーエレクトロニクス）の高効率化と小型化は、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー…
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ベイパーチャンバー（Vapor Chamber: VC）は、主に高性能な電子機器の熱管理に使われる、非常に効率的な…
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エレクトロマイグレーション（EM）試験は、半導体デバイスの信頼性を評価するために不可欠な試験です。…
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BS-PDN (BackSide Power Delivery Network、裏面電源供給ネットワーク) は、ロジック半導体のさらなる高…
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**ボッシュプロセス (Bosch process)**とは、**DRIE（Deep Reactive Ion Etching、深掘り反応性イオンエ…
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InGaZnO（Indium Gallium Zinc Oxide）を利用したセルトランジスタの立体構造化は、主にDRAMの低消費電…
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- 1MW級高電圧直流給電（HVDC）の重要性
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1MW級のラック対応を目指した高電圧直流給電（HVDC: High-Voltage Direct Current）は、主にAIデータセ…
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Google Pixel 10 Proの熱設計は、歴代Pixelモデルが抱えてきた熱問題を克服し、高性能なTensor G5チップ…
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- デバイスの高集積化 CMP技術
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CMP (Chemical Mechanical Polishing / Planarization、化学機械研磨・平坦化) 技術は、半導体デバイス…