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パワーMOSFET、SiC、GaNなどの半導体デバイスにおいて、Ciss、Coss、Crss、Rgは寄生パラメータと呼ばれ…
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- MOSFETのVthの測定方法（SMUを使用して）
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MOSFETのしきい値電圧（Vth）をSMU（Source Measurement Unit）を用いて測定する方法は、MOSFETの特性を…
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- MOSFET オン抵抗測定方法
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MOSFETのオン抵抗（RDS(on)）をSMU（Source-Measure Unit）で測定する方法について解説します。 …
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- ブレークダウンをSMUで測る
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半導体デバイスにおける「ブレークダウン」を、SMU（Source Measure Unit）を使用して測定・評価する方…
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- GaN/SiCデバイスのC–V測定とは
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GaN/SiCデバイスのC–V測定とは ～次世代パワーデバイスの電気特性を非破壊で評価する基本手法～ ■ 定…
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- GaN パルスドId-Vg測定 SMU
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GaN（窒化ガリウム）デバイスの評価において、パルスド Id−Vg 測定は非常に重要な手法です。これは、…
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半導体CV特性アナライザとは？ 〜容量-電圧特性の測定でデバイス構造を可視化〜 CV特性とは何か？ CV特…
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- IRDSロードマップ
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IRDS (International Roadmap for Devices and Systems) ロードマップは、半導体業界の将来の技術動向と…
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- ソースメジャーユニット（SMU）基本スペック一覧
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ソースメジャーユニット（SMU）基本スペック一覧 項目 内容・説明 出力モード 電圧ソー…
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- 高アスペクト比エッチングにおけるチャージング（帯電）
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高アスペクト比エッチングにおけるチャージング（帯電）は、微細構造の底面や側壁に電子とイオンが不均…
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- STMicroelectronics社の OMEMS とは
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STMicroelectronics（STマイクロエレクトロニクス）のOMEMS（Optical MEMS、光MEMS）は、同社の強みであ…
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- Cu-Cu チップ・トゥ・ウェハ（CtW）ハイブリッドボンディング
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Cu-Cu（銅-銅）チップ・トゥ・ウェーハ（CtW）ハイブリッドボンディングは、次世代のヘテロジニアス・イ…
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自己組織化（DSA）リソグラフィとナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、従来のフォトリソグラフィ（…
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- 半導体デバイスにおける「ランダム欠陥」と「システマティック…
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半導体デバイスの製造における欠陥は、単純なランダム欠陥（Random Defects）だけでなく、微細化の進展…
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- CMOS／スピントロニクス融合AI半導体
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CMOS／スピントロニクス融合AI半導体は、従来のCMOS技術（論理演算を担う）とスピントロニクス技術（主…
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ソースメジャーユニット（SMU）入門者向け選定ガイド 1. SMUとは？ ソースメジャーユニット（SMU）は、…
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- キャリア濃度の測定方法
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半導体のキャリア濃度を測定する方法として、ホール測定が最も一般的です。その他にも、C-V測定、ラマン…
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- 酸化物半導体チャネルトランジスタRAM（OCTRAM）
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OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM) は、従来のシリコントランジスタの代わりに酸化…
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- ハイブリッドボンディング
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**ハイブリッドボンディング（Hybrid Bonding）**は、半導体チップやウェーハを垂直に積層・接合する技…