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- ソフトスイッチング（ZVS/ZCS）が成立する条件
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絶縁型Y-Δ SR-SABにおいて、ソフトスイッチング（ZVS: ゼロ電圧スイッチング、ZCS: ゼロ電流スイッチン…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- 「UEC対応チップ」の性能
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2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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- 「第8世代IGBT」再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）分…
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再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）の分野でも、第8世代IGBTと今回解明された「水素のメカニズ…
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- EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新…
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EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新動向とロードマップを整理しました。 202…
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- HTA技術のプロセス詳細
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名城大学の三宅教授らが確立したHTA（High-Temperature Annealing：高温熱処理）技術は、サファイア基板…
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- 3コイル球面モータ 多自由度ロボット関節
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3コイル球面モータを用いたロボット関節は、まさに「機械的な肩」や「股関節」を実現するための理想的な…
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- 光の準粒子とキラル物質科学
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光の準粒子（主にポラリトン）とキラル物質科学の融合は、次世代の光子工学や材料科学において極めて重…
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- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
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- パワーデバイスのウエハプロセスは論理チップと何が違う？
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パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
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- TSC packages MOSFET diode circuits
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TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…
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- SiCパワーデバイスの劣化抑制に用いられる「MeV（メガ電子ボル…
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SiCパワーデバイスの劣化抑制（ピン留め効果）に用いられる「MeV（メガ電子ボルト）級」のエネルギーを…
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- テスラのCybertruckで採用された48V冗長システム
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テスラが「サイバートラック（Cybertruck）」で導入した48V冗長システムは、単なる電圧の変更を超えた、…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向
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トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向（2026年初頭時点）をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
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- ペロブスカイト太陽電池
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ペロブスカイト太陽電池は、従来のシリコン製太陽電池に代わる**「次世代太陽電池」**として、今まさに…
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- α-Ga2O3（アルファ型）
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β-Ga2O3（ベータ型）が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3（アルファ型）**は「コランダム構造」を持つメ…
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- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
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DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調（二相変調）の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…
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