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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）の分野でも、第8世代IGBTと今回解明された「水素のメカニズ…
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EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新動向とロードマップを整理しました。 202…
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フォトニック結晶面発光レーザー（PCSEL: Photonic-Crystal Surface-Emitting Laser）は、次世代の光技…
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
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パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
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TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…
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トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向（2026年初頭時点）をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
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ペロブスカイト太陽電池は、従来のシリコン製太陽電池に代わる**「次世代太陽電池」**として、今まさに…
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Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (長江存儲科技有限責任公司, YMTC) は、中国の国有半導体統合デ…
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パワースピン株式会社の技術の核心である**磁気トンネル接合（MTJ：Magnetic Tunneling Junction）**は…
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4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFETは、従来のシリコン（Si）デバイスが動作限界（一般に150°C〜175°C程度…
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TTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御は、半導体ウェハの「厚みの均一性」を極限まで高める…
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- 最新のTEG（Test Element Group）ケルビン
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「TEG（Test Element Group）における最新のケルビン接続（四端子法）」について、半導体プロセスの微細…