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- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.（YMTC）
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Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (長江存儲科技有限責任公司, YMTC) は、中国の国有半導体統合デ…
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- MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）
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MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）は、光を扱うためのMEMS（微小電気機械システム）技術…
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- 強化窒化ガリウム（iGaN） onsemi
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強化窒化ガリウム（iGaN）は、オンセミ（onsemi）がパワー半導体市場向けに提供している独自の高性能GaN…
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- ゲートバイアス（Gate Bias）とは
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ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…
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- SiCやGaNウェハの加工技術
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SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のSi（シリコン）よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…
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- ハーフブリッジ フルブリッジ
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ハーフブリッジとフルブリッジは、パワーエレクトロニクス回路の基本的な構成であり、主にインバーター…
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- YMTCのXtacking®技術の詳細
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YMTCのXtacking®（エクスタッキング）技術は、従来の3D NANDフラッシュメモリの構造的な制約を打破し、…
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- スイープ機能・ロギング機能とは
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スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
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- WBG半導体とともに使用するコンデンサ
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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（…
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- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
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CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- 公共の急速充電器（スーパーチャージャー）
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公共の急速充電器（一般にDC急速充電器または「スーパーチャージャー」と呼ばれます）は、電気自動車（E…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- フィルムコンデンサ（DCリンク用）WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体である**GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）**を使用した電力変…
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- FS（Field Stop）-IGBT
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🛡️ FS-IGBT (Field Stop IGBT) とは FS-IGBTは、従来のIGBT（Non-Punch Through IGBT: NPT-IGB…
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- GaNパワー半導体バブル
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「GaN（窒化ガリウム）パワー半導体 バブル」は、SiCと同様に、その市場が急速に成長していることによる…
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- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
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プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI（磁気共鳴画像法）の分野において、主に超軽量でフレキ…
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- ZVS Zero Voltage Switching（ゼロ電圧スイッチング）
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ZVSは、電子回路、特にパワーエレクトロニクスの分野で用いられる略語で、Zero Voltage Switching（ゼロ…
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- 2000 V整流器とは
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2000 V整流器とは、交流（AC）を直流（DC）に変換する電子部品であり、2000ボルト（V）という高い電圧に…
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- C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは
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C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは ～半導体中のドーピング分布や拡散深さを非破壊で評価する解…