-
- 半導体CV特性測定器とは
-
半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
-
- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
-
GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
-
- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
-
酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
-
- チップレットパッケージ基板とは
-
チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
-
- GaN 電力変換効率 向上方法
-
GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の電力変換効率を向上させるには、オン抵抗の低減とスイッチング損失の…
-
- 界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは
-
界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは ～MOS界面の電気的品質を左右する重要パラメータ～ …
-
- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
-
スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
-
- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
-
GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
-
- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
-
高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
-
- MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）
-
MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）は、光を扱うためのMEMS（微小電気機械システム）技術…
-
- ゲートバイアス（Gate Bias）とは
-
ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…
-
- スイープ機能・ロギング機能とは
-
スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
-
- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
-
CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
-
- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
-
プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI（磁気共鳴画像法）の分野において、主に超軽量でフレキ…
-
- C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは
-
C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは ～半導体中のドーピング分布や拡散深さを非破壊で評価する解…
-
- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
-
ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…