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- 二次元物質のヘテロ構造 実用化（大面積化）の課題
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二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…
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- 電子機器内部用二次電池の消耗
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電子機器の電池持ちが急激に悪くなると、本当にストレスですよね。「まだ20%も残っているはずなのに、急…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- STT-MRAMやロジック・イン・メモリは「GPU（AI用チップ）」をど…
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現在のGPUは、AIブームにより需要が爆発していますが、同時に「消費電力の増大」と「メモリの壁」という…
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- 高温環境で安定して動かすためのSiCゲートドライブ回路の工夫
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300°Cという極高温環境でSiC MOSFETを安定して動作させるためには、MOSFET単体だけでなく、それを駆動す…
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- DRAMとNANDフラッシュ最新スマホへの影響
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2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM（メモリ）とNANDフラッシュ（ストレージ）の価格高…
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- CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）構造 (TEG)
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**CBKR（Cross-Bridge Kelvin Resistor）**は、半導体プロセスの評価において、特定のコンタクト（接触…
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- トレンチ側壁の保護膜厚の制御
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トレンチ（溝）側壁の保護膜厚の制御は、半導体プロセスにおいて**「垂直なエッチング形状（異方性）」*…
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- 変圧器の損失低減のための深層学習
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変圧器（静止器）の設計において、損失（鉄損・銅損）の低減はエネルギー効率直結の最重要課題です。深…
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- フィルムコンデンサ（DCリンク用）WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体である**GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）**を使用した電力変…
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- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
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HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
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- 極低温HFプラズマエッチング技術 東京エレクトロン社の最新動向
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東京エレクトロン（TEL）の最新動向として、極低温（クライオジェニック）エッチング技術は、同社の成長…
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- Broadcomの完全統合型ホール電流センサー
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Broadcomの「完全統合型ホール電流センサー（Fully Integrated Hall Effect Current Sensor）」は、主に…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- ゲートドライバのノイズ対策（高い dv/dt への対応）
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GaNやSiCといったワイドバンドギャップ（WBG）半導体を採用する際、最大の課題となるのが**高い dv/dt（…
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- FS（Field Stop）-IGBT
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🛡️ FS-IGBT (Field Stop IGBT) とは FS-IGBTは、従来のIGBT（Non-Punch Through IGBT: NPT-IGB…
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- GaNパワー半導体バブル
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「GaN（窒化ガリウム）パワー半導体 バブル」は、SiCと同様に、その市場が急速に成長していることによる…
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- 車載用SiC MOSFET市場（テスラやBYDなど）どの構造?
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2026年現在の車載用SiC MOSFET市場では、**「信頼性のプレーナー型」から「高効率・小型化のトレンチ型…
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- 積層プロセスやSamsungの進捗 HBM4
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HBM4における積層プロセスは、従来の限界を突破するための主戦場となっています。特にこれまでSK hynix…