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- 高温環境で安定して動かすためのSiCゲートドライブ回路の工夫
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300°Cという極高温環境でSiC MOSFETを安定して動作させるためには、MOSFET単体だけでなく、それを駆動す…
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- DRAMとNANDフラッシュ最新スマホへの影響
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2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM（メモリ）とNANDフラッシュ（ストレージ）の価格高…
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- フィルムコンデンサ（DCリンク用）WBG用
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WBG（ワイドバンドギャップ）半導体である**GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）**を使用した電力変…
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- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
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HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
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- FS（Field Stop）-IGBT
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🛡️ FS-IGBT (Field Stop IGBT) とは FS-IGBTは、従来のIGBT（Non-Punch Through IGBT: NPT-IGB…
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- GaNパワー半導体バブル
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「GaN（窒化ガリウム）パワー半導体 バブル」は、SiCと同様に、その市場が急速に成長していることによる…
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- 車載用SiC MOSFET市場（テスラやBYDなど）どの構造?
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2026年現在の車載用SiC MOSFET市場では、**「信頼性のプレーナー型」から「高効率・小型化のトレンチ型…
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- 積層プロセスやSamsungの進捗 HBM4
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HBM4における積層プロセスは、従来の限界を突破するための主戦場となっています。特にこれまでSK hynix…
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- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
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プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI（磁気共鳴画像法）の分野において、主に超軽量でフレキ…
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- ZVS Zero Voltage Switching（ゼロ電圧スイッチング）
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ZVSは、電子回路、特にパワーエレクトロニクスの分野で用いられる略語で、Zero Voltage Switching（ゼロ…
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- スピントロニクスAIプロセッサ 中国での研究
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中国におけるスピントロニクスAIプロセッサの研究は、現在世界トップクラスの猛追を見せており、一…
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- 高温対応パッケージ（銀シンター接合など）の技術
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300°Cという極高温下では、従来の電子機器パッケージングで使われていた材料（ハンダや樹脂）のほとんど…
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- プロセッサインメモリの市場機会
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プロセッサインメモリ（PIM: Processor-In-Memory）は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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- 2000 V整流器とは
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2000 V整流器とは、交流（AC）を直流（DC）に変換する電子部品であり、2000ボルト（V）という高い電圧に…
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- HAMRの次、将来技術HDMR（ドット記録）
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HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR（熱補助磁気記録）**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
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- C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは
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C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは ～半導体中のドーピング分布や拡散深さを非破壊で評価する解…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
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AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…