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- 全固体電池のインピーダンス解析
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全固体電池のインピーダンス解析(EIS: 電気化学インピーダンス分光法)は、電池を壊さずに内部で何が起…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスは、Si(シリコン)に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- PSFB 4つのスイッチング素子(MOSFETやIGBT)をブリッジ状に配置
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PSFB(位相シフトフルブリッジ)の核心は、まさにその**「4つのスイッチ」の配置と動かし方**にあります…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ(WBG: Wide Band Gap)半導体デバイス技術は、従来のシリコン(Si)半導体の限界…
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- Warburgインピーダンス
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コール・コールプロット(ナイキスト線図)の右側に現れる、「45度の傾きを持つ直線」。それが**Warburg…
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- 2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計
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DC/DCコンバーター(特に降圧/Buckコンバーター)の設計は、複雑に見えて実はたった2つの物理法則の式か…
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- DRT法(緩和時間分布法)
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DRT法(Distribution of Relaxation Times)は、全固体電池のインピーダンス解析において「重なった円弧…
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- 容量センサーの低域遮断周波数問題
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容量センサ(静電容量式センサ)を扱う上で、**低域遮断周波数(Low-cut frequency / High-pass charact…
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- 損失を最小化する「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」
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損失を最小化するための**「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」**は、急速充電器のように入力電…
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- デバイ・リラクゼーションの連続体
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「デバイ・リラクゼーション(Debye Relaxation)の連続体」という考え方は、全固体電池のような複雑な…
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- スイッチドキャパシタ回路
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スイッチドキャパシタ回路(Switched Capacitor Circuit: SC回路)は、容量センサの低域遮断問題を解決…
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- LCRメーターとは?
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LCRメーターとは? 電子部品の基本特性を測るための必須測定器 LCRメーターの概要 LCRメーターは、…
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- ゼロ電圧スイッチング(Zero-Voltage Switching, ZVS)整流回路
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ゼロ電圧スイッチング(ZVS)とは **ゼロ電圧スイッチング(ZVS)**は、スイッチング素子(MOSFETやIGB…
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- SiCやGaNなど「スイッチング周波数の具体的な上限設定」
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SiC(シリコンカーバイド)やGaN(ガリウムナイトライド)といったワイドバンドギャップ(WBG)半導体の…
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- 18650リチウムイオン二次電池
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18650リチウムイオン二次電池ですね!まさにリチウムイオン電池界の「スタンダード」とも呼べる存在で、…
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- フィルムコンデンサ(DCリンク用)WBG用
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WBG(ワイドバンドギャップ)半導体である**GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)**を使用した電力変…
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- DPWM1 (Discontinuous PWM 1)
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DPWM1 (Discontinuous PWM 1) は、一相PWM変調(二相変調)の中でも、特に**「電力変換効率の最大化」**…

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