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- 差動クロック用水晶発振器
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差動クロック用水晶発振器（Differential Crystal Oscillators）は、高速通信や精密なタイミングが要求…
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- ボード線図（Bode plot） コール・コールプロット（Nyquist図…
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電気化学測定やLAPSの評価において、**ボード線図（Bode plot）とコール・コールプロット（Nyquist図）*…
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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- 位相シフトフルブリッジ（PSFB）コンバータ
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位相シフトフルブリッジ（PSFB）コンバータは、主に数百Wから数kWクラスの高出力AC-DC電源やDC-DCコンバ…
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- 不斉合成 CISS効果
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「不斉合成」と「CISS効果（キラル誘起スピン選択性）」は、化学と物理の境界領域における非常にエキサ…
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- 電池の周波数特性（コール・コールプロット）
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**電池の周波数特性（コール・コールプロット）**は、電池内部の電気化学反応や抵抗・拡散などの特性を調…
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- FPGA用の通信クロック
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FPGAで高速通信（SerDes）を行う際、リファレンスクロックの品質は通信の成否を分ける非常に重要な要素…
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- 全固体電池のインピーダンス解析
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全固体電池のインピーダンス解析（EIS: 電気化学インピーダンス分光法）は、電池を壊さずに内部で何が起…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- PSFB 4つのスイッチング素子（MOSFETやIGBT）をブリッジ状に配置
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PSFB（位相シフトフルブリッジ）の核心は、まさにその**「4つのスイッチ」の配置と動かし方**にあります…
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- 磁気メモリやセンサーへの応用例 キラリティ（不斉）とCISS効果
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キラリティ（不斉）とCISS効果を磁気メモリやセンサーに応用する研究は、従来の重金属や強磁性体に依存…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- Warburgインピーダンス
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コール・コールプロット（ナイキスト線図）の右側に現れる、「45度の傾きを持つ直線」。それが**Warburg…
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- 2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計
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DC/DCコンバーター（特に降圧/Buckコンバーター）の設計は、複雑に見えて実はたった2つの物理法則の式か…
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- DRT法（緩和時間分布法）
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DRT法（Distribution of Relaxation Times）は、全固体電池のインピーダンス解析において「重なった円弧…
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- 容量センサーの低域遮断周波数問題
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容量センサ（静電容量式センサ）を扱う上で、**低域遮断周波数（Low-cut frequency / High-pass charact…
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- CNT薄膜トランジスタ（TFT）のCV測定（容量-電圧測定）
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CNT薄膜トランジスタ（TFT）の**CV測定（容量-電圧測定）**は、チャネル形成のプロセス、界面準位、そし…
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- 損失を最小化する「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」
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損失を最小化するための**「最適なスイッチング周波数の自動追従制御」**は、急速充電器のように入力電…
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