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- Aloe Semiconductor Inc.
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**Aloe Semiconductor Inc.(米国企業)**は、シリコンフォトニクス(Silicon Photonics)を用いた光電融合…
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- 小型・高密度なコヒーレント光伝送ソリューションを求める顧客
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小型・高密度なコヒーレント光伝送ソリューション、特に**プラグアブルコヒーレントモジュール(400ZR/Z…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション(HI)を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- 4H-SiC(4H型炭化ケイ素)MOSFET 300°C極高温動作のメリット
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4H-SiC(4H型炭化ケイ素)MOSFETは、従来のシリコン(Si)デバイスが動作限界(一般に150°C〜175°C程度…
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- 積層プロセスやSamsungの進捗 HBM4
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HBM4における積層プロセスは、従来の限界を突破するための主戦場となっています。特にこれまでSK hynix…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- CBKR(Cross-Bridge Kelvin Resistor)構造 (TEG)
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**CBKR(Cross-Bridge Kelvin Resistor)**は、半導体プロセスの評価において、特定のコンタクト(接触…
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- Broadcomの完全統合型ホール電流センサー
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Broadcomの「完全統合型ホール電流センサー(Fully Integrated Hall Effect Current Sensor)」は、主に…
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- ドローによるESM Validation
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ドローン(UAV)を用いた**ESM Validation(電子戦支援策の検証)**は、現代の電子戦において非常にコス…
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- ペロブスカイト太陽電池(PSC)、応用物理学会(JSAP)での発表
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2026年2月現在**応用物理学会(JSAP)**は、ペロブスカイト太陽電池(PSC)の研究者や企業担当者が一堂…
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- カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
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カルコゲナイド系化合物(硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物)を用いた光触媒および光電極技術…
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- 水中ドローン(AUV/ROV)による海底資源調査やインフラ点検
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水中ドローン(AUV/ROV)を用いた海底資源調査やインフラ点検は、人間が潜水できない深海や危険な環境に…
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- 変流器を用いた双方向絶縁型多相DC-DCコンバータ
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変流器(カレントトランスフォーマ:CT)を用いた双方向絶縁型多相DC-DCコンバータは、高出力密度と高効…
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- ANNベースの正弦波変調低速センサレス制御
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「ANN(人工ニューラルネットワーク)ベースの正弦波変調低速センサレス制御」は、モータ制御における非…
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- Massive MIMO基地局
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超多素子アンテナ(Massive MIMO)の基地局は、5Gネットワークの心臓部です。2026年現在、この技術は単…
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- 計測器校正は第三者校正が主流
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ISO 9001やIATF 16949などの国際的な品質マネジメントシステム認証を取得・維持している企業において、…

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