赤﨑先生の「3つの大きな壁」の突破
赤﨑先生の功績は、窒化ガリウム（GaN）という非常に扱いにくい材料に対して、誰もが諦めかけた時期に独自の信念で挑み続けた点にあります。
高品質な結晶成長（サファイア基板上の低温バッファ層）
GaNはサファイア基板との格子定数の差が大きく、高品質な単結晶を作るのが困難でした。1986年、赤﨑先生と当時学生だった天野先生は、低温堆積したAlN（窒化アルミニウム）バッファ層を挟むことで、鏡面のように美しいGaN結晶の作製に世界で初めて成功しました。
p型GaNの実現
LEDにはp型とn型の接合が必要ですが、GaNのp型化は不可能とされてきました。1989年、電子ビーム照射（LEEBI法）を用いることで、Mg（マグネシウム）をドープしたGaNがp型として機能することを証明しました。
青色LEDの初点灯とpn接合
これらの技術を組み合わせ、1989年に世界初となるGaNベースの青色pn接合LEDの動作を実証しました。
次世代へのインパクト：GaNからパワーデバイスへ
赤﨑先生が切り拓いたGaN研究は、光デバイス（LED・レーザー）に留まらず、現在のパワーエレクトロニクスや高周波通信デバイスの進化に直結しています。
高周波・高出力特性: GaNは大きなバンドギャップ（Eg ≈ 3.4 eV$）と高い破壊電界を持つため、5G/6G基地局用のRFアンプや、衛星通信などの極限環境下で不可欠な素材となりました。
エネルギー効率の劇的向上: 赤﨑先生の結晶成長技術の延長線上に、現在のSiC（炭化ケイ素）やGaNを用いた低損失な電力変換デバイス（車載充電器やデータセンター用電源）があります。
「われ一人、荒野を行く」
赤﨑先生が好んで使われた言葉です。誰もがGaNを諦め、ZnSe（セレン化亜鉛）など他の材料に流れる中で、GaNの可能性を信じて研究を続けたその姿勢は、現在の半導体エンジニアにとっても大きな指針となっています。
赤﨑勇先生（1929–2021）は、「20世紀中には不可能」と言われた青色LED（発光ダイオード）を実現し、2014年に天野浩先生、中村修二先生と共にノーベル物理学賞を受賞された、半導体工学における世界的権威です。
特に名古屋大学（および名城大学）での研究は、現在の照明、ディスプレイ、そして高出力デバイスの礎となっています。
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