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- SiCやGaNウェハの加工技術
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SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)は、従来のSi(シリコン)よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…
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YMTCのXtacking®(エクスタッキング)技術は、従来の3D NANDフラッシュメモリの構造的な制約を打破し、…
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「ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合(Die-to-Wafer Hybrid Bonding)」は、主に半導体の**3次元…
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RoCEv2 (RDMA over Converged Ethernet version 2) は、IP層(インターネット層)の上で動作するように…
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光電融合デバイスは、NTTが推進するIOWN(Innovative Optical and Wireless Network)構想の中核をなす…
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18 GHzのノイズソースの出力に、400 MHzの**LPF(ローパスフィルタ)**を使用する利点は、主に以下の二…
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- RF-SOI 基板とRFeSI(RF enhanced Signal Integrity) 技術
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OWONの安定化電源とは?|コスパに優れたプログラマブルDC電源の特長とおすすめ機種 OWON(オウ…
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- オシロスコープ用プローブ 基礎解説
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プローブ 入門 プローブとは、電子回路の信号を測定機器(主にオシロスコープ)に正確に伝えるための接続…
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