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- 光子(Photon)+ 物質の励起(Excitation)= ポラリトン
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「光子 + 物質の励起 = ポラリトン」という数式は、現代物理学における**「光と物質の結婚」**を象徴…
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- 二次元物質「日本企業の強み」
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二次元物質のヘテロ構造(ツイストロニクス)の分野において、日本企業は**「世界が頼らざるを得ないキ…
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- Q/Vバンドにおける**デジタル・プリディストーション(DPD)**…
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Q/Vバンド(40/50GHz)において、GaN増幅器から最大出力を引き出しつつ、通信品質(信号のきれいさ)を…
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- SiCやGaNは寄生容量 Cossが小さい
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SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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- LLC共振コンバータ
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LLC共振コンバータとSJ-MOSFETの相性 LLC共振コンバータは、インダクタ(L)2つとキャパシタ(C)1つを…
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- Bluetooth 7 と Wi-Fi 8 の同時送信
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Wi-Fi 8 (802.11bn) と Bluetooth 7 の同時送信(Simultaneous Transmission)は、FastConnect 8800 の…
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- シリコンメタサーフェスを用いた2次元ナノ材料における光・物…
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シリコンメタサーフェスと2次元(2D)ナノ材料の組み合わせは、ナノフォトニクスにおける最もホットな領…
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- TSN(Time-Sensitive Networking)技術
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TSN(Time-Sensitive Networking)は、標準的なイーサネットを拡張し、**「確定的(デターミニスティッ…
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- Marvell の評価ボードでテストモード(Test Mode 1-6)を起動
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Marvell(マーベル)の車載イーサネットPHY(Brightlaneシリーズ:88Q4364 等)において、IEEE 802.3ch …
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- VNA 2port シリーズスルー(Series-Thru)法
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CNT薄膜トランジスタ(TFT)の特性評価において、2ポート・シリーズスルー(Series-Thru)法は、特にデ…
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- 低ダイナミック抵抗と超低容量を両立したESD保護ダイオード
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低ダイナミック抵抗(Rdyn)と超低容量(Ct)の両立は、高速信号ライン(USB4, Thunderbolt 4, HDMI 2.1…
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- インマルサットシステムの高度化
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インマルサット(Inmarsat)システムは、従来のLバンド(1〜2 GHz帯)を用いた海事・航空安全通信から、…
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- PCIe 6.0 は 64 GT/s
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PCIe 6.0 の 64 GT/s という数字は、単なるスピードアップ以上の技術的限界への挑戦を意味しています。 …
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- 第5世代SiC OBC Crss ローム
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ローム(ROHM)の第5世代SiC MOSFET(開発中・順次投入)は、車載充電器(OBC)の次世代スタンダードを…
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- 原子層エッチング(ALE)
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原子層エッチング(ALE: Atomic Layer Etching)は、前述のALD(原子層堆積)を鏡写しにしたような技術…
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- 2026 IEEE International MTT Symposia トピックス
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2026年の IEEE International Microwave Symposium (IMS 2026) は、2026年6月7日から12日まで、米国マサ…
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- USB Type-C ケーブルの仕様情報をホスト側に通信する仕組み
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USB Type-Cケーブルが自身の性能(電力許容値や転送速度)をホスト機器に伝える仕組みは、物理層の専用…

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