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クランプダイオード(TVS:Transient Voltage Suppressor)は、静電気放電(ESD)や雷サージ、スイッチ…
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10kV〜18kV級のSiC MOSFETを用いたインバータ・コンバータ技術に関しては、IEEE(特にPELS: Power Elect…
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- 「MultiSynth」分数分周器 Fractional-N
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Si5351Aのコアテクノロジーである「MultiSynth(マルチシンセ)」は、分数分周(Fractional-N Division…
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有効テンソルカーネル(Effective Tensor Kernel)は、漸近展開均質化法(Asymptotic Homogenization Me…
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- 二輪車 排ガス規制 EV化
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二輪車(バイク)の排ガス規制は、近年のEVシフトを裏から強烈に後押ししている「最大の推進力」です。 …
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InP(インジウムリン)DHBT(Double Heterojunction Bipolar Transistor:ダブルヘテロ接合バイポーラト…
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- High QデバイスでE5100Aと最新VNAでの測定で共振周波数が40Hzほ…
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Q値が2000を超える高Q値共振デバイス(200 kHz)を測定する際、旧名機であるHP/アジレント E5100Aと最新…
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質問: SDS1022のオシロスコープの"Self Cal"は、機器の調整に当たる操作を行うのでしょうか? または、ゼ…
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オシロスコープの応用場面と用途別おすすめ製品【SIGLENT・OWON・Micsig対応】 オシロスコープは、電子信…
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シグナル・ジェネレータとは? シグナル・ジェネレータ(Signal Generator)とは、電子回路や無線通信機…
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ビルトイン電流ソースとは ~測定機器に内蔵された定電流供給機能~ ■ 定義 ビルトイン電流ソース(B…
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インパルス巻線試験機とは?―コイル・モーターの品質検査に不可欠な測定機器 インパルス巻線試験機(Impu…
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MOSキャパシタ(MOS Capacitor)とは ~金属‐酸化膜‐半導体構造を持つ基本的なC–V測定用デバイス~ ■ …
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- インパルス巻線試験器の入門⑤-測定設定と試験ステップの構成(S…
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― 測定条件の詳細設定と多ステップ制御の実践ガイド ― 本章では、[SETUP]メニューにおける測定条件、試験…
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この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…

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