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原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度を狙うのは、まさに神業に近い世界です。…
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Q/Vバンドのような高い周波数帯(ミリ波)を利用する場合、最大の敵は**「雨」**です。Q/VバンドはKaバ…
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磁気統合(Magnetic Integration)は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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誘導電動機の速度センサレス・ベクトル制御について解説します。 通常、ベクトル制御(トルクと磁束を…
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「化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞)」について。 この賞は、青色LEDの発明でノーベル物…
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計測器の校正先として「レンタル会社の校正部門」と「校正専門会社」のどちらを選ぶべきか。これは非常…
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ペロブスカイト太陽電池(PSC)のIV特性において、電流の過渡応答は非常に重要なテーマです。シリコンと…
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2026年3月のMWC(Mobile World Congress)での発表を経て、Wi-Fi 8 (802.11bn) と Bluetooth 7 は、次世…
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2026年現在、亜鉛空気電池(ZAB)およびその進化形であるRM-ZABにおいて、最大のボトルネックであった亜…
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56Gbps PAM4のような超高速伝送では、基板の損失により受信端で「アイ(Eye)」が完全に閉じてしまいま…
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- MotorComm等との互換性評価
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中国の半導体メーカーである MotorComm(裕太微電子) や JLSemi(景略半導体) は、IEEE 802.3ch(Mult…
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I3C(Improved Inter-Integrated Circuit)は、MIPI Allianceによって策定された、次世代のモバイル、Io…
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**XGモバイル推進フォーラム(XGMF:XG Mobile Promotion Forum)**は、日本の5Gの高度化およびBeyond 5…
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2ch(2チャネル)リアルタイム・シグナル・アナライザ(RTSA)を用いた、コヒーレント測定による近傍界…
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第5世代SiC MOSFETの採用によりスイッチング周波数が高まると、トランスの巻線設計において「交流抵抗(…
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ナノシートFET(Nanosheet FET)は、3nmノード以降の半導体プロセスにおいて、長年主流だったFinFETに代…
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ミキサーファーストアーキテクチャ(Mixer-First Architecture)の概要 ミキサーファーストアーキテク…
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クランプダイオード(TVS:Transient Voltage Suppressor)は、静電気放電(ESD)や雷サージ、スイッチ…
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10kV〜18kV級のSiC MOSFETを用いたインバータ・コンバータ技術に関しては、IEEE(特にPELS: Power Elect…

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