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- サンプルレート（Sampling Rate）とは
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サンプルレート（Sampling Rate）とは ～アナログ信号をデジタル化する際の“時間軸の分解能”～ ■ 定義…
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- スパイラルダイポール形送電素子
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スパイラルダイポール形送電素子による伝送路を構築し、共鳴型ワイヤレス電力伝送技術による道路走行中の…
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- AI-Centric Network
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「AI-Centric Network」（AIセントリック・ネットワーク）とは、AIの能力を最大限に引き出し、同時にAI…
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- Kamikaze III
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「Kamikaze III」ASICは、株式会社TRIPLE-1によって開発された、**ビットコインマイニング（採掘）および…
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- 福迫 武先生 (熊本大学)
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福迫 武（ふくさこ たけし）氏は、熊本大学の教授で、主に電磁波工学、特にアンテナ技術と**高周波集積…
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- シリコンフォトニクスを採用したネットワークスイッチ
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米NVIDIAが量産を表明した光電融合製品は、シリコンフォトニクス（光電融合）ネットワークスイッチ 「N…
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- ECN (Explicit Congestion Notification)
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📢 ECN (Explicit Congestion Notification) とは ECN (Explicit Congestion Notification) は、ネット…
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- 光電融合デバイスのユースケース
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光電融合デバイスが実現する光ディスアグリゲーティッドコンピューティング（ODC）およびオールフォトニ…
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- NFが0.2dBの超低雑音LNAのNF測定方法
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NFが0.2 dBという超低雑音のLNA（Low Noise Amplifier）を正確に測定するには、非常に高度な測定技術と…
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- RF-SOIを採用した最新のFEM（フロントエンドモジュール）製品の…
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RF-SOIを採用した最新のFEM（フロントエンドモジュール）製品の動向は、2024年から2025年にかけて大きな…
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- Astemo社におけるUSB4
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Astemo（アステモ）におけるUSB4の導入は、主に**SDV（Software-Defined Vehicle：ソフトウェア定義型自…
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- AI業界の焦点が学習から推論へと移行 記憶媒体への影響
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2024年から2025年にかけて、AI業界のパラダイムは「巨大モデルをいかに作るか（学習）」から、**「作っ…
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- プロセッサインメモリの市場機会
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プロセッサインメモリ（PIM: Processor-In-Memory）は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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- プラズモン量子回路におけるグラフェン
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プラズモン量子回路において、グラフェンは従来の金属（金や銀）が抱える「損失」という弱点を克服する…
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- センサーやメーターにWi-SUN FANを組み込むための開発キット
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Wi-SUN FAN（特に最新の1.1規格）をセンサーやメーターに組み込むための開発キットは、すでに主要な半導…
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- ベンゼン環を組み替えるのがなぜ難しいのか
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ベンゼン環の組み替え（骨格編集）が「化学者の悲願」と言われるほど難しい理由は、一言でいうとベンゼ…