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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
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IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート(GAA)構造」の次に控える2030年前後の…
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- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
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テスラの「SiC(炭化ケイ素)75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
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- 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
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48Vシステム、特に自動運転(AD)や電子制御ブレーキ(brakes-by-wire)などの安全に関わるシステムでは…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会(…
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- Bluetooth 6.x 系: 「Channel Sounding」
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2026年には本格的な普及が期待されている Bluetooth 6.0 の目玉機能、「Channel Sounding(チャネルサウ…
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- FTQCによる暗号解読や新材料の発見など
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PsiQuantumがブリスベンで建設中の「100万量子ビット機」が完成すると、計算の世界は「予測」から「シミ…
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- 雑音指数測定における直線性の高いディテクタ、SSBレシーバ・ア…
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雑音指数(NF: Noise Figure)の測定は、微小な信号を取り扱うため、システムの精度が非常に重要です。…
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- フラッシュLiDAR
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「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所(産総研)の研究チームによる**「高感度なCNT(…
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- 相互相関(Cross-correlation)
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相互相関(Cross-correlation)法は、測定器自体のノイズフロアよりも低い位相雑音を測定するための「魔…
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- 線形EMSDトランスデューサ
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「線形EMSDトランスデューサ(EMSD: Electromagnetic Soft Device / Electromagnetic Smart Device)」…
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- VNA 誤差補正のアプリーションノートを紹介
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VNAの誤差補正やディエンベディングはRF計測の「定石」であり、主要な測定器メーカーは非常に優れた教育…
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- 電子計測器のLCRの用途と使用分野とは
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電子計測器のLCRの用途と使用分野とは 電子計測器のLCR(インダクタンス、キャパシタンス、抵抗…
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- インピーダンスと反射係数
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インピーダンスと反射係数は、RF高周波回路や信号伝送において重要な概念であり、信号の効率的な伝送やエ…
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- 信号発生器 メーカー
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信号発生器の代表的なメーカー一覧|特徴・用途別に比較 **信号発生器(シグナルジェネレータ)**は、電…

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