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- プラガブル光トランシーバー（Pluggable Optical Transceiver）
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プラガブル光トランシーバー（Pluggable Optical Transceiver）は、ネットワーク機器（スイッチ、ルータ…
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- Ceyear 3674 VNAによる「第2高調波・第3高調波」測定
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Ceyear 3674 VNAによる「高調波」測定は「周波数オフセットオプション」により可能です。 高調波は、ベク…
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- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
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トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界（JFET抵抗やセル密度の制約）を打…
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- 最新のTEG（Test Element Group）ケルビン
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「TEG（Test Element Group）における最新のケルビン接続（四端子法）」について、半導体プロセスの微細…
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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- ボレードや牽引式デコイ
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最新の電子戦（EW）は、AIによる見えない電波の攻防だけでなく、**「物理的なおとり」**も驚くべき進化…
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- ペロブスカイト太陽電池
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ペロブスカイト太陽電池は、従来のシリコン製太陽電池に代わる**「次世代太陽電池」**として、今まさに…
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- 酸化ガリウム（β-Ga2O3）デバイスへの応用例（SBDやMOSFETなど）
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β-Ga2O3（酸化ガリウム）の150 mm基板が実現することで、パワーデバイスへの応用はいよいよ実用化のフェ…
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- 最新のGaN-on-Diamond
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Q/Vバンドにおける**GaN-on-Diamond（ダイヤモンド上窒化ガリウム）**は、2026年現在、衛星通信および防…
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- ZVS（ソフトスイッチング）を維持するための位相差の制約条件
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4ポート磁気結合コンバータ（マルチアクティブブリッジ：MAB）において、ZVS（ゼロ電圧スイッチング）を…
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- アクティブプローブ シングルエンドと差動
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オシロスコープの測定において、**「どこを基準に電圧を測るか」**によって、シングルエンドプローブと…
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- スイッチドキャパシタ回路
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スイッチドキャパシタ回路（Switched Capacitor Circuit: SC回路）は、容量センサの低域遮断問題を解決…
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- 18650リチウムイオン二次電池
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18650リチウムイオン二次電池ですね！まさにリチウムイオン電池界の「スタンダード」とも呼べる存在で、…
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- 有機LAPS IV特性
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有機LAPS（光走査型電位センサー）における**IV特性（電流-電圧特性）**は、デバイスの感度や空間分解能…
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- ５G NTN MWC2026 最新情報
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2026年3月にバルセロナで開催された MWC 2026 では、5G NTN（非地上系ネットワーク）が「技術検証」の段…
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- キラル物質科学 ペロブスカイト
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「キラル物質科学」は、鏡に映した像（鏡像）が元の自分自身と重なり合わない性質、すなわち**「対掌性…
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- GCLのパラメータ（Time Interval）
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GCL（Gate Control List）のTime Intervalパラメータは、TSNスイッチの各出力キューが「どの状態（開/閉…
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- CNT ペロブスカイト
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カーボンナノチューブ（CNT）とペロブスカイト（特にペロブスカイト太陽電池：PSC）の組み合わせは、次…
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- MultiGBASE-T1（2.5G/5G/10G）の実装における「AEC-Q101 準拠」
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MultiGBASE-T1（2.5G/5G/10G）の実装において、AEC-Q101 準拠は単なる「車載品質」以上の意味を持ちます…
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