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  • 積層プロセスやSamsungの進捗 HBM4
    HBM4における積層プロセスは、従来の限界を突破するための主戦場となっています。特にこれまでSK hynix…
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  • トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
    2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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  • CBKR(Cross-Bridge Kelvin Resistor)構造 (TEG)
    **CBKR(Cross-Bridge Kelvin Resistor)**は、半導体プロセスの評価において、特定のコンタクト(接触…
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  • EVにおいて、I3C EEPROMの役割
    EV(電気自動車)の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード(事実上の標準)になりつつある…
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  • ボレードや牽引式デコイ
    最新の電子戦(EW)は、AIによる見えない電波の攻防だけでなく、**「物理的なおとり」**も驚くべき進化…
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  • ペロブスカイト太陽電池
    ペロブスカイト太陽電池は、従来のシリコン製太陽電池に代わる**「次世代太陽電池」**として、今まさに…
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  • 原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度…
    原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度を狙うのは、まさに神業に近い世界です。…
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  • Q/Vバンド アップリンク・パワー・コントロール(AUPC)
    Q/Vバンドのような高い周波数帯(ミリ波)を利用する場合、最大の敵は**「雨」**です。Q/VバンドはKaバ…
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  • サンプリングとは
    入力信号の一部を多数の不連続の電気的な値に変換し、オシロスコープでストレージ、処理、また表示できる…
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  • Q&A(OWONオシロスコープ CP-07+ AC/DCクランプ電流プロー…
    質問:XDM3051は測定箇所の電線を切断し、回路と直列に接続する必要があるように見えます。 クランプメー…
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  • MMAとは
    MMA について "Microwave Materials and Applications"  MMA は「マイクロ波材料と応用」の略称で、2000…
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  • オシロスコープ 見方
    🧭 オシロスコープの見方(基本編) ① 波形の横軸(X軸)=時間 Time/div(タイムパーディビジョン…
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  • ベクトルネットワークアナライザ(VNA)とコネクタ・校正キット…
    ✅ VNA + コネクタ/校正キットの応用例 1. 高周波基板の特性評価 用途:RF回路やミリ波アンテナ基…
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  • EMI対策の基本
    ✅ EMI対策の基本 **EMI(Electromagnetic Interference:電磁妨害)**とは、電子機器から意図せず発生す…
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  • ハンディ オシロスコープ 比較ガイド
    ハンディ オシロスコープ 比較ガイド【現場・教育用途向け】 ハンディ・オシロスコープは、持ち運びやす…
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  • 半導体CV特性測定器とは
    半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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  • デジタルマルチメーター(DMM)入門:機能・使い方・選び方まで…
    デジタルマルチメーター(DMM)入門:機能・使い方・選び方まで徹底解説 デジタルマルチメーター(DMM:D…
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  • S11特性とは
    S11特性とは ~高周波信号が入力ポートからどれだけ反射されるかを示すパラメータ~ ■ 定義 **S11特…
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  • 危険電圧
    ✅ 危険電圧 ① 危険電圧の基本定義 電圧区分 危険電圧基準 主な規格・根拠 安全…
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  • ファンクションジェネレータ入門(8) トラブル事例とその対策
    ファンクションジェネレータ入門(8)トラブル事例とその対策   ■はじめに ファンクションジェネ…
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