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- パンクチャリング技術（Preamble Puncturing）
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Wi-Fi 7における**パンクチャリング技術（Preamble Puncturing）**は、帯域の一部にノイズや他の通信（…
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- 次世代の光・磁性技術がAIチップのエネルギー効率をいかに劇的…
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次世代の光・磁性技術がAIチップのエネルギー効率をいかに劇的に向上させるか 次世代のAIチップがエ…
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- 車載用SiC MOSFET市場（テスラやBYDなど）どの構造?
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2026年現在の車載用SiC MOSFET市場では、**「信頼性のプレーナー型」から「高効率・小型化のトレンチ型…
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- 車載48Vシステムの具体的な回路設計
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48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
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- Si（シリコン）、SiO2（酸化膜）、および低誘電率（Low-k）膜
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極低温でのHF（フッ化水素）プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。 S…
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- OLED 赤・緑・青（RGB）の3色すべてで発光と発電を両立
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2026年1月現在、NHK放送技術研究所（技研）や千葉大学などのグループが、**「赤・緑・青（RGB）の3色す…
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- 100GBpsを実現する新素材チップ（InPやGaN）のロードマップ
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「新素材チップ（InPやGaN）」が私たちの生活に浸透するスケジュールは、**基地局側のインフラ整備（202…
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- 量子計算機が光電融合で進化
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量子コンピューターの進化において、富士通が取り組む**「光電融合（こうでんゆうごう）」は、計算速度…
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- LoRa ESP32」マイコンボード
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ESP32は、Arduino IDEで開発できるマイコンの中でもWi-FiとBluetoothが標準搭載されており、LoRa-Wi-Fi…
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- 二次元層状物質の人工ヘテロ構造
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二次元（2D）層状物質の人工ヘテロ構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）は、現代の材料科学において…
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- DC/DCコンバーターの「脳」フィードバック制御
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DC/DCコンバーターの「脳」にあたるのがフィードバック制御です。出力電圧が目標からズレないよう、常に…
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- 絶縁型Y-Δ結線SR-SAB DC-DC コンバータの回路動作
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）DC-DCコンバータは、高電圧・大電力アプ…
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- 永久磁石同期電動機の速度センサレス制御
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永久磁石同期電動機（PMSM）の速度センサレス制御は、回転子の位置や速度を検出するための物理的なセン…
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- POMの具体的な化学構造（ケギン型など）
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POM（ポリオキソメタレート）は、その構造によって電子の保持能力（蓄電性）や誘電特性が大きく異なりま…
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- Wi-Fi7 AFC SPモード 製品比較
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2026年現在、Wi-Fi 7とAFC（自動周波数調整）によるSP（Standard Power：標準電力）モードに対応した製…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）は、次世代の太陽電池として最も注目されている技術の一つです。シリコン…
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- dRU のスペクトラム・マスク
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Wi-Fi 8 (802.11bn) で導入される dRU (Distributed Resource Unit) は、従来の「連続した周波数ブロッ…
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- RM-ZABの社会実装
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RM-ZAB（再生型レドックス媒介亜鉛空気二次電池）の社会実装は、2026年現在、基礎研究の段階を脱し、**…
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- VNAのAFR (Automatic Fixture Removal)機能
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VNA（ベクトル・ネットワーク・アナライザ）のAFR (Automatic Fixture Removal) は、測定対象（DUT）を…
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