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- IRDSロードマップ
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IRDS (International Roadmap for Devices and Systems) ロードマップは、半導体業界の将来の技術動向と…
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- ソースメジャーユニット（SMU）基本スペック一覧
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ソースメジャーユニット（SMU）基本スペック一覧 項目 内容・説明 出力モード 電圧ソー…
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- 高アスペクト比エッチングにおけるチャージング（帯電）
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高アスペクト比エッチングにおけるチャージング（帯電）は、微細構造の底面や側壁に電子とイオンが不均…
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- STMicroelectronics社の OMEMS とは
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STMicroelectronics（STマイクロエレクトロニクス）のOMEMS（Optical MEMS、光MEMS）は、同社の強みであ…
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- Cu-Cu チップ・トゥ・ウェハ（CtW）ハイブリッドボンディング
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Cu-Cu（銅-銅）チップ・トゥ・ウェーハ（CtW）ハイブリッドボンディングは、次世代のヘテロジニアス・イ…
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- 自己組織化（DSA）リソグラフィとナノインプリントリソグラフィ…
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自己組織化（DSA）リソグラフィとナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、従来のフォトリソグラフィ（…
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- 半導体デバイスにおける「ランダム欠陥」と「システマティック…
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半導体デバイスの製造における欠陥は、単純なランダム欠陥（Random Defects）だけでなく、微細化の進展…
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- CMOS／スピントロニクス融合AI半導体
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CMOS／スピントロニクス融合AI半導体は、従来のCMOS技術（論理演算を担う）とスピントロニクス技術（主…
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- ソースメジャーユニット（SMU）入門者向け選定ガイド
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ソースメジャーユニット（SMU）入門者向け選定ガイド 1. SMUとは？ ソースメジャーユニット（SMU）は、…
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- キャリア濃度の測定方法
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半導体のキャリア濃度を測定する方法として、ホール測定が最も一般的です。その他にも、C-V測定、ラマン…
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- 酸化物半導体チャネルトランジスタRAM（OCTRAM）
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OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM) は、従来のシリコントランジスタの代わりに酸化…
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- ハイブリッドボンディング
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**ハイブリッドボンディング（Hybrid Bonding）**は、半導体チップやウェーハを垂直に積層・接合する技…
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- LiDARにおける高出力・短パルス駆動LD
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LiDARにおける高出力・短パルス駆動の重要性 🚀 LiDAR（Light Detection and Ranging…
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- 半導体デバイスの微細化と構造の複雑化
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半導体デバイスの微細化は、集積回路の性能向上と電力効率改善の原動力ですが、同時に構造の複雑化とい…
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- MEMS for Diversified Applicationsとは
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MEMS（メムス：Micro Electro Mechanical Systems、微小電気機械システム）技術の持つ可能性を最大限に…
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- ダイヤモンド半導体の宇宙空間での利用について
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ダイヤモンド半導体は、その優れた特性から、人工衛星やロケットなどの航空・宇宙分野での利用に大きな…
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- 縦型のゲートオールアラウンド（GAA）構造
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縦型のゲートオールアラウンド（GAA）構造とは、半導体トランジスタのチャネル（電流の通り道）を、ゲー…
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- チップレット搭載FC-BGA基板
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チップレットを搭載したFC-BGA基板は、高性能コンピューティング（HPC）やAI処理チップを実現するための…