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- 半導体進化の主軸「パッケージ技術」
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半導体の進化において、パッケージ技術は微細化の限界を補完し、性能向上とコスト削減を実現する重要な…
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- GaNのミリ波帯領域での期待と課題
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窒化ガリウム（GaN）は、特に5G通信システムやレーダーといったミリ波領域のアプリケーションにおいて、…
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- フライングキャパシター線形増幅回路（FCLA：Flying Capacitor …
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フライングキャパシター線形増幅回路（FCLA）は、高効率なリニア増幅器の一種で、スイッチング技術とフ…
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- 高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで細かく可変できる製…
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高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで可変できる製品はあります。 特定の製品として、Techmize TH…
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- Co-Packaged Optics（CPO）光電融合とは
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Co-Packaged Optics（CPO）光電融合は、半導体チップ（ASIC、CPU、GPUなど）と光通信用の光学コンポーネ…
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- GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点
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GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点。GaNとSiの異なる物理的特性に起因するも…
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- GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧でも測定できる計測器はあ…
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はい、GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧で測定できる計測器は存在します。 「TECHMIZE社 TH51xシリ…
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- 光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）とは
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光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）は、今後重要性が増していくと考えられています。これは、…
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- 印加電圧（Test Voltage）とは
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印加電圧（Test Voltage）とは ～試験対象に意図的に加える電圧条件～ ■ 定義 印加電圧（Test Voltag…
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- 酸化膜厚（Oxide Thickness）測定方法は
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酸化膜厚を測定する方法は、対象の膜の厚さや材質、必要な精度によってさまざまな種類があります。主に非…
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- 平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは
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平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは ～MOS構造の基準電位を示す、界面特性評価の鍵～ ■ 定…
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- 半導体CV特性測定器とは
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半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
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酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
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- 界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは
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界面準位密度（Interface Trap Density, Dit）とは ～MOS界面の電気的品質を左右する重要パラメータ～ …
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- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
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- ゲートバイアス（Gate Bias）とは
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ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…
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- スイープ機能・ロギング機能とは
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スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
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- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
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CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
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- C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは
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C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは ～半導体中のドーピング分布や拡散深さを非破壊で評価する解…