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- GaNのミリ波帯領域での期待と課題
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窒化ガリウム（GaN）は、特に5G通信システムやレーダーといったミリ波領域のアプリケーションにおいて、…
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- フライングキャパシター線形増幅回路（FCLA：Flying Capacitor …
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フライングキャパシター線形増幅回路（FCLA）は、高効率なリニア増幅器の一種で、スイッチング技術とフ…
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- 高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで細かく可変できる製…
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高電圧CV測定器で周波数を1kHzから2MHzまで可変できる製品はあります。 特定の製品として、Techmize TH…
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- Co-Packaged Optics（CPO）光電融合とは
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Co-Packaged Optics（CPO）光電融合は、半導体チップ（ASIC、CPU、GPUなど）と光通信用の光学コンポーネ…
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- GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点
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GaNパワーデバイスのゲート駆動回路設計における重要な注意点。GaNとSiの異なる物理的特性に起因するも…
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- GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧でも測定できる計測器はあ…
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はい、GaNの寄生容量を3000Vのような高電圧で測定できる計測器は存在します。 「TECHMIZE社 TH51xシリ…
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- 光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）とは
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光電融合分野におけるOSAT（後工程受託企業）は、今後重要性が増していくと考えられています。これは、…
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- SiCの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンの発生リ…
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SiC-MOSFETの高速スイッチング時に問題となるセルフターンオンのリスクは、ゲート駆動回路の工夫と、Crs…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 （サムスン）
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サムスンは、Co-Packaged Optics (CPO) に関する特許を複数保有しています。これらの特許は、主に光と電…
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- 半導体ドーピングプロファイル（Doping Profile）測定方法
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半導体のドーピングプロファイル（ドーパント濃度分布）を測定する方法には、用途や求められる精度に応…
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- Co-Packaged Optics（CPO）特許 (Intel)
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IntelはCo-Packaged Optics (CPO)に関する特許を多数保有しています。 これらの特許は、同社のシリコン…
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- 固体タンタル・コンデンサはdV/dt が高過ぎると短絡を起こす
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固体タンタルコンデンサは、dV/dt（時間あたりの電圧変化率）が急峻すぎると、短絡（ショート）を起こす…
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- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）測定方法
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MOSキャパシタの測定は、主にその静電容量-電圧（C-V）特性と電流-電圧（I-V）特性を評価することで行わ…
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- 高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）とは
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高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）は、複数のDRAMチップを垂直に積み重ねることで、従来…
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- MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価 における周波数設定
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MOSキャパシタのゲート酸化膜のC-V特性評価では、高周波数と低周波数の両方で測定を行うのが一般的です。…
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- STT-MRAMとは
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STT-MRAMは、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access M…
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- インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは？
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インピーダンスアナライザの等価回路パラメータとは、測定したインピーダンス（交流における抵抗）の実…
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- MOSFET サブスレッショールド特性
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MOSFETのサブスレ…