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光アイソレーション差動プローブ　Micsig（型式：MOIP1000P）

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  • 光アイソレーション差動プローブ　Micsig（型式：MOIP1000P）

製品名

光アイソレーション差動プローブ　Micsig（型式：MOIP1000P）

価格

3,523,300円(税込)

型番

MOIP1000P

メーカー

用途

概要

型式 MOIP1000P
帯域幅 1GHz
同相電圧 85kVpk
DC精度 1%
CMRR DC: 180dB 1GHz: 108dB
差動電圧範囲 0.1V - 5000V
ノイズ <0.45mVrms 立ち上がり時間 ≤350ps

■Present True Signal


   SigOFITプローブは、100MHzで128dB、1GHzで100dBを超える非常に高いコモンモード除去比（CMRR）を持ち信号を忠実に測定可能です。
 

 

 

■優れた振幅-周波数特性
  •DCゲイン精度≦1％、ノイズ≦0.45mVrms、ゼロ・ドリフト<0.1%  （5分後）、ゲイン・ドリフト<1%。

 

 

■第3世代半導体に最適なプローブ

   

  

SiCやGaNのようなデバイスは、非常に高エネルギーの高周波高調波を含む高電圧を数ナノ秒で切り替えることができます。SigOFITは最大帯域幅においても100dB以上のCMRRを有し、高周波コモンモードノイズによる発振を抑制します。
     

 

  

 
■広い測定範囲   ■使いやすくフレキシブル

 

従来の差動プローブは高電圧信号しか測定できませんでしたが、SigOFITプローブは異なるアッテネーター・チップを使用することで、±0.1Vから±6250までの差動モード信号を測定することができ、最適なレンジで非常に高いS/N比を実現します。   従来のディファレンシャルプローブより小型で、より正確なプローブチップにより電源投入後すぐにテストが可能です。オートゼロは1秒未満、リアルタイムで正確な信号出力を実現します。

 

  

 
■安全性能
  •SigOFITプローブのテストリードは短く、同軸ケーブル伝送のため、入力キャパシタンスは2.5pF未満で、GaNをテストするのに非常に安全です。* デバイスがすでに臨界状態にある場合、安全性は保証されません。

 

 

 
 

 

 

 

 

 

 

 

■MICSIG社光アイソレーション差動プローブの製品チラシ↓

     

ダウンロードはこちらです。

 

 

■MICSIG光アイソレーション差動プローブの製品紹介ビデオ↓

 

GaNが爆発！？光アイソレーション差動プローブが使用する理由とは？

 

光ファイバー絶縁プローブが差動プローブより有利の理由とは

 

SigOFIT光アイソレーション差動プローブの基本操作と注意事項

 

 

サポート

MICSIG社光アイソレーション差動プローブ用ユーザーマニュアル
MICSIG社光アイソレーション差動プローブ用データシート