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- 三菱電機モビリティ USB4
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三菱電機モビリティ(2024年4月に三菱電機の自動車機器事業が分社化して発足)におけるUSB4への取り組み…
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- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
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ローム(ROHM)などのパワーデバイス(特にSiC MOSFETやIGBT)における「シングルトランジスタ駆動」と…
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- EMIB-Tで採用されるHBM4(次世代メモリ)との連携
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2025年に詳細が発表されたEMIB-T(Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV)は、次世代メモリ…
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- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
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2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学(旧 東工大)、筑波大学、Quemix(ケミックス)の研究グループ…
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- 複数のCNOTゲートを繋げた大規模な量子プロセッサへの拡張性
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プラズモン波束を用いたCNOTゲートが単体で機能することを確認した次のステップは、それらを数百、数千…
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- 農場でのセンサー収集、都市部でのインフラ監視
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農場でのセンサー収集と都市部でのインフラ監視。これらはWi-SUN FANの「広域性」「高密度」「マルチホ…
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- 地上-衛星間光通信における大気ゆらぎの影響を克服する次世代誤…
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情報通信研究機構(NICT)と名古屋工業大学(名工大)は、JAXAと共同で、地上-衛星間光通信において大気…
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- ADL5961 基板インピーダンス、ICテスト用途
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基板(PCB)のインピーダンス測定やICテストにおいて、ADL5961のような「チップ型VNA」が登場したことは…
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- 磁性ジョセフソン接合であるπ接合を利用した低電力超伝導集積回…
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磁性ジョセフソン接合(Ferromagnetic Josephson Junction)を用いた**π接合**は、次世代の低電力・超高…
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- 薄膜ニオブ酸リチウムリング共振器
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薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN: Thin-Film Lithium Niobate)を用いたリング共振器は、次世代の光集積回路…
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- Q&A(OWONハンディタイプ・オシロスコープHDS2102Sの質問に…
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質問:HDS2102Sで信号計測に使用するために購入しましたが、テストでAC100Vを計測したところ、計測値が300…
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- TECHMIZEとは、TECHMIZE会社紹介
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同惠電子(Tonghui Electronics)とは 同惠電子(Tonghui Electronics Co., Ltd.)は、1994年に中国・江…
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- オシロスコープ GaN測定対応
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オシロスコープ GaN測定対応とは? GaN(窒化ガリウム)は、近年注目されている高効率・高速スイ…
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- アクティブプローブとは
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アクティブプローブとは アクティブプローブ(Active Probe)とは、オシロスコープに接続して使用する高…
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- ファンクションジェネレータとは?
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ファンクションジェネレータとは? ファンクションジェネレータ(Function Generator)とは、電子回路や…
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- インダクタンス、抵抗、容量、ダイオードとは
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インダクタンス、抵抗、容量、ダイオードとは ~電子回路の基本4要素とその役割~ ■ インダクタンス(…
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- バイアスティー(Bias-Tee)とは
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バイアスティー(Bias-Tee)とは ~高周波信号と直流電源を共通ラインに合成・分離する3端子回路~ ■ …
