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  • Ciss、Coss、Crss、Rgとは?
    Ciss、Coss、Crss、Rgとは? ~MOSFETのスイッチング特性を左右する重要パラメータ~ ■ Ciss(入力容…
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  • 測定精度仕様(Accuracy Specification)とは
    測定精度仕様(Accuracy Specification)とは ~測定値が真の値とどれだけ一致しているかを示す仕様~ …
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  • PSE(電気用品安全法)
    ✅ 基本原則:計測器はPSE(電気用品安全法)対象外が基本 PSEは「一般家庭用電気製品の安全確保」…
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  • プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
    プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI(磁気共鳴画像法)の分野において、主に超軽量でフレキ…
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  • AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
    AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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  • 六フッ化タングステン:半導体製造における「隠れたヒーロー」
    六フッ化タングステン(Tungsten Hexafluoride, WF6)は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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  • 携帯周波数帯域について
    携帯電話の周波数帯域は、1GHz以下のサブギガ帯(プラチナバンドなど)の他に、主に中周波数帯と高周波…
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  • 電力増幅器の高効率・広帯域化技術
    電力増幅器(PA)の高効率化と広帯域化を両立させる技術は、無線通信やレーダーなどの分野で非常に重要…
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  • Huaweiの1.6T市場における立ち位置
    HuaweiとQSFP-DD1600を含む1.6T技術への取り組みについてご説明します。 1. Huaweiの1.6T市場におけ…
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  • メンブレン化合物半導体光デバイス
    メンブレン化合物半導体光デバイスは、シリコン(Si)基板上に、インジウムリン(InP)系などの化合物半…
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  • NF測定 ノイズソース
    NF(雑音指数: Noise Figure)測定におけるノイズソースは、測定対象デバイス(DUT: Device Under Test…
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  • Wi-Fi RFFE(Radio Frequency Front-End)Non-linear PA
    Wi-Fi 7(IEEE 802.11be)などの最新世代において、「非線形パワーアンプ(Non-linear PA)」の活用は、…
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  • USB4を導入している企業
    USB4(および最新のUSB4 Version 2.0)は、現在、パソコンメーカーから周辺機器メーカー、さらには内部…
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  • ガラス×半導体
    「ガラス×半導体」の組み合わせは、現代の微細化限界を突破するための最重要課題となっています。 「基…
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  • MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
    MgO-based MTJ(以下、MTJ)を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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  • ウェハを極限まで薄く削る技術動向
    ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN(裏面電源供給)や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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  • ハイブリッド量子デバイス
    「ハイブリッド量子デバイス」は、異なる物理系(スピン、光子、超伝導回路など)を組み合わせることで…
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  • WE-MCA Multilayer Chip Antenna とは
    WE-MCA(Wurth Elektronik Multilayer Chip Antenna)は、ドイツの電子部品メーカーである**ウルト・エ…
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  • AWS-4(Advanced Wireless Services-4)周波数帯
    AWS-4(Advanced Wireless Services-4)周波数帯は、もともとディッシュ・ネットワーク(DISH Network)…
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  • GNU Radio「Ubuntu」Linux
    UbuntuでRadioconda(Condaベースの環境)を使用するのは、開発環境として最高に安定した選択です。Linu…
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